电子技术第一章常用半导体器件.ppt

（4）UGS对iD的控制作用 当导电沟道夹断， iD 不随UDS 变化时 ， UGS 越小，即|UGS| 越大，沟道电阻越大，对同样的UDS ， iD 的值越小。 所以，此时可以通过改变UGS 控制iD 的大小，iD与UDS 几乎无关，可以近似看成受UGS 控制的电流源。由于漏极电流受栅-源电压的控制，所以场效应管为电压控制型元件。 (a) JFET沟道中只有一种类型的多数载流子参与 导电，所以场效应管也称为单极型三极管； (b) JFET 栅极与沟道间的PN结是反向偏置的，因 此输入电阻很高； (c) JFET是电压控制电流器件，iD受UGS控制； (d) 预夹断前iD与UDS呈近似线性关系；预夹断后， iD趋于饱和。 综上可知 恒流区 3、输出特性曲线和转移特性曲线 （1） 输出特性 恒流区：(又称饱和区或放大区） 特点: (1)受控性： 输入电压uGS控制输出电流iD。 (2)恒流性：输出电流iD 基本上不受输出电压uDS的影响。 用途:可做放大器和恒流源。 沟道未全夹断 可变电阻区 可变电阻区： (2)当uGS为定值时, 沟道电阻不变，iD是 uDS的线性函数，管子的漏源间呈现为线性电阻，且其阻值受 uGS控制。 （1）管压降uDS很小，对耗尽层宽度影响不大。 用途：做压控线性电阻和无触点的、闭合状态的电子开关。 沟道未夹断 预夹断曲线 特点: 截止区 截止区： 沟道全夹断 用途：做无触点的、接通状态的电子开关。 特点：iD≈0 击穿区： 击穿区 当漏源电压增大到 一定数值 时，漏端PN结发生雪崩击穿，使iD 剧增。管子不能在击穿区工作。 (2) 转移特性 反映的是uDS为常数时， uGS的大小对沟道宽度和沟道电阻的影响，进而控制电流的大小的程度。 结型场效应管 N 沟 道 耗 尽 型 P 沟 道 耗 尽 型 + ugs _ g d s gmugs + uds _ JFET的交流小信号模型 g d s + ugs _ id + ugs _ ig=0 漏极D 栅极和其它电极及硅片之间是绝缘的，称绝缘栅型场效应管也称为金属氧化物半导体场效应管，简称MOS管。 金属电极 栅极G 源极S SiO2绝缘层 P型硅衬底 高掺杂N区 二、绝缘栅型场效应管 按工作状态可分为：增强型和耗尽型两类 每类又有N沟道和P沟道之分 1. 基本结构与分类 金属铝 G S D 符号： 由于栅极是绝缘的，栅极电流几乎为零，输入电阻很高，最高可达1014? 。 漏极D 金属电极 栅极G 源极S SiO2绝缘层 P型硅衬底 高掺杂N区 2、 N沟道增强型管的工作原理 由结构图可见，N+型漏区和N+型源区之间被P型衬底隔开，漏极和源极之间是两个背靠背的PN结。 当栅源电压UGS = 0 时，不管漏极和源极之间所加电压的极性如何，其中总有一个PN结是反向偏置的，反向电阻很高，漏极电流近似为零。 S D （1）栅源电压uGS的控制作用 uDS=0时， uGS 对沟道的控制作用 当uDS=0且uGS0时， 因SiO2的存在，iG=0。 但g极为金属铝，因外加正向偏置电压而聚集正电荷，从而排斥P型衬底靠近g极一侧的空穴，使之剩下不能移动的负离子区，形成耗尽层。 EG P型硅衬底 N+ N+ G S D + – UGS N型导电沟道 当uGS进一步增加时，一方面耗尽层增宽，另一方面衬底的自由电子被吸引到耗尽层与绝缘层之间，形成一个N型薄层，称之为反型层，构成了漏-源之间的导电沟道（也称感生沟道）。 使沟道刚刚形成的栅-源电压称之为开启电压UT ( 或UGS(th）) 。 uGS 反型层宽度 导电沟道电阻 。 uGS ＜ UT，管子截止， uGS ＞UT，管子导通。 (2)uGSUT 时，uDS对沟道的控制作用 当uDS=0时，iD=0；当uDS0时，会有电流产生，电压降沿沟道方向，每点和栅极的电位差形成梯度差，源极最大，使靠近漏极处的沟道变窄。 当uDS ? ? iD ?，当uDS增加到一定值时，在紧靠漏极处出现预夹断。此时uDS ? ?夹断区延长?沟道电阻? ? iD基本不变，表现出恒流特性。 特性曲线 有导电沟道 转移特性曲线 无导电 沟道 开启电压UT UDS UGS/ ID/mA UDS/V o UGS= 1V UGS= 2V UGS= 3V UGS= 4V 漏极特性曲线 恒流区 可变电阻区 截止区 3. N沟道耗尽型MOS管 G S D 符号： SiO2绝缘层中 掺有正离子 预埋了N型 导电沟道 在栅极