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金屬氧化物半導體場效電晶體之製作 Fabrication and characterization of Schottky MOSFETs Two mask process Si SiO2 Metal Metal Metal SiO2 SiO2 Gate Source Drain Source Gate Drain Top view Cross section The goal of this class is to make a Schottky MOSFETs 1. 清洗樣品 methanol acetone BHF 1. 將 sample 放入裝有丙酮的燒杯裡，使用超音波震洗機 震洗 3 min。 2. 使用 甲醇 洗去sample 的丙酮 ,將樣品放入裝有甲醇的燒杯裡，使用 超音波震洗機 震洗 3 min。 3. 使用 DI water (去離子水) , 沖洗 sample 1min。 4. 使用 BHF 蝕刻 native oxide 5. 使用 氮氣槍 仔細吹乾 sample 表面。 光阻 2. 定義S/D圖形 目的： 利用曝光顯影的技術，將需要鍍S/D金屬的區域定義出來。 1. 塗佈光阻 (A) 將 sample 放置於 塗佈機上， 旋轉測試 1000 轉 10 sec，4000 轉 40 sec。 (B) 測試完畢後，sample 滴滿光阻，啟動。 (C) 拿取 sample。 2. 曝前烘烤 (軟烤) 放加熱板(hot plate)上95oC，2 min。 3. 曝光 (A) 放置光罩 (鍍金屬的面朝sample) (B) 放置 sample ， 曝光 18 sec。 4. 烘烤+曝光 (正光阻轉換成負光阻) 將 sample放加熱板(hot plate)上115oC，2min。 曝光 50 sec 5. 顯影 將 sample 置入顯影液，顯影 30 sec，過DI 15sec。 6. 硬烤 放加熱板(hot plate)上 110oC， 3 min。 鍍金屬，參考實驗二 2. Lift off：將光阻及光阻上之金屬去除，留下S/D金屬。 (A) 將sample 放入裝有丙酮的燒杯裡，使用超音波震洗機 震洗 1 min。 (B) 使用甲醇洗去sample的丙酮 ,將樣品放入裝有甲醇的燒杯裡， 超音波震洗機 震洗 1 min。 (C) 使用 DI water (去氧離子水)，沖洗 sample 1min。 (D) 使用 氮氣槍 仔細吹乾 sample 表面的水。 3.鍍S/D金屬 4. 沉積閘極氧化層 使用PECVD沉積SiO2當閘極氧化層 5. 定義閘極圖形 目的： 利用曝光顯影的技術 ， 將需要鍍閘極金屬的區域定義出來。 參考步驟二、定義S/D圖形 6. 鍍閘極金屬 參考步驟三、鍍S/D金屬 7. 蝕刻S/D上之SiO2 利用RIE或BHF蝕刻SiO2 8. 鍍背電極 1. Id-Vg Id-Vd 2. Vt、on/off、SS、DIBL 3. What is GIDL (Gate Induced Drain Leakage) 結報問題