大连英特尔-第二次网站公示-简本环境影响评价报告公示.pdf

英特尔半导体（大连）有限公司 非易失性存储器项目一期扩建工程 环境影响报告书公示简本 编制单位：信息产业电子第十一设计研究院科技工程股份有限公司 建设单位：英特尔半导体（大连）有限公司 编制日期：2017 年 7 月 1 建设项目概况 1.1 建设项目基本情况 项目名称：非易失性存储器项目一期扩建工程 建设单位：英特尔半导体（大连）有限公司 项目性质：扩建项目 建设地点：大连经济技术开发区淮河东路 109 号公司现有厂区内，现有工 程东侧地块，地理位置及园区位置见下图。 1.2 建设内容 在公司现有厂区内，建设洁净室生产厂房，建设中央动力厂房、仓库等配套 公辅设施。购置半导体生产设备，进行非易失性存储器生产。 1.3 工艺流程 1 1.4 相关政策及规划符合性 1.4.1 产业政策符合性分析 本项目产品对照《外商投资产业指导目录(2015 年修订)》，本项目属于该目 录“鼓励类” 中“ （二十二）计算机、通信和其他电子设备制造业” 中“246. 集成电 路设计，线宽 28 纳米及以下大规模数字集成电路制造，……”。 该项目经大连经济技术开发区经济发展局“大开经发备[2017]1 号”进行备案 确认。 综上，本项目符合国家和大连市现行产业政策。 1.4.2 规划符合性分析 本项目拟建于大连经济技术开发区淮河东路 109 号，英特尔（大连）公司 现有厂区内。大连经济技术开发区是 1984 年 9 月经国务院批准设立的第一批国 家级开发区。英特尔（大连）公司厂址所在地为大连经济技术开发区内的中心工 业区，园区以电子信息、IT 为主导产业。本扩建项目产品种类与现有工程一致， 属于园区大力发展的主导行业，因此符合园区总体规划。 根据《国有土地使用证》（大开国用[2007]第 0495 号），英特尔（大连）公 司现有厂区用地为工业用地性质。根据《建设工程规划许可证》（建字第 210213201711013 ），本项目建设工程符合城乡规划要求。 本项目经与国家、辽宁省及大连市“气十条”、“水十条”、“土十条”等环境管 理政策符合性分析，本项目符合相关政策要求。 综上，本项目符合相关规划。 1.4.3 选址合理性分析 本项目选址于大连经济技术开发区淮河东路 109 号，英特尔（大连）公司 现有厂区内。项目所在区域供水、排水、供电、供气等基础设施完备，为项目建 设提供了良好的平台。 根据项目所在区域规划图及项目外环境关系图可知，项目所在地块位于英特 尔（大连）公司现有已建工程工程东侧。项目东面为园区待建空地；南面紧邻淮 河东路，道路以南为园区待建空地、数字湖小区（规划），以及大连上柴动力公 2 司、大连苏尔寿泵及压缩机有限公司厂区；西面紧邻英特尔公司现有工程地块， 厂界外西侧为林德气体公司、大连富士冰山自动售货机有限公司厂区及园区待建 空地；厂界外西北侧为恒昌物流公司厂区，北面为园区待建空地。 1、本项目对外环境影响 项目所在区域无特殊保护的濒危、珍稀野生动植物，厂址区域无国家级、省 级和市级重点文物保护单位。项目评价范围内保护目标主要包括福泉东里小区、 金湾山城、数字湖小区（规划）等居住区，大连维特奥国际医院等医院，辽宁中 医药大学等学校。 本项目所在地常年主导风向为 NNW ，上述环境敏感保护目标中，本项目最 近距离的数字湖小区、大连艺才技工学校、福泉东里小区、金湾山城小区、辽宁 中医药大学等均位于主导风向的侧风向。此外为尽量减轻本项目对厂外敏感保护 目标的影响，本项目在布局过程中采取将办公生活区布置于厂区南侧，生产厂房 布置于地块中部，以最大程度减少废气和噪声对厂外的影响。根据本项目无组织 排放的情况，以化学品库 H5 边界设定 200m 环境防护距离。该防护距离范围内 无现状及规划保护目标存在，能够满足要求。综上