掺杂石墨烯量子点对P3HT∶PCBM太阳能电池性能的影响.pdf

第３７卷　 第９期 发　 光　 学　 报 Ｖｏｌ３７ Ｎｏ９ ２０１６年９月 ＣＨＩＮＥＳＥＪＯＵＲＮＡＬ ＯＦ ＬＵＭＩＮＥＳＣＥＮＣＥ Ｓｅｐｔ. ꎬ２０１６ 文章编号:１０００￣７０３２(２０１６)０９￣１０８２￣０８ 掺杂石墨烯量子点对 Ｐ３ＨＴ∶ＰＣＢＭ太阳能电池性能的影响 １ ２ １ １ ３ ２ １∗ 邹凤君 ꎬ范思大 ꎬ谢　 强 ꎬ孙　 洋 ꎬ孙丽晶 ꎬ李占国 ꎬ王丽娟 (１. 长春工业大学 化学工程学院ꎬ吉林 长春　 １３００１２ꎻ ２. 长春理工大学 高功率半导体激光国家重点实验室ꎬ吉林 长春　 １３００２２ꎻ　 ３. 长春工业大学 基础科学学院ꎬ吉林 长春　 １３００１２) 摘要:为研究掺杂石墨烯量子点(ＧＱＤｓ)对聚合物电池的影响ꎬ采用溶剂热法制备了ＧＱＤｓꎬ掺杂到聚３￣己基 噻吩和富勒烯衍生物(Ｐ３ＨＴ∶ＰＣＢＭ)中作光敏层制备了聚合物太阳能电池ꎮ 掺杂不同浓度的ＧＱＤｓ后ꎬ聚合 物电池的开路电压和填充因子都比未掺杂器件高ꎮ ＧＱＤｓ掺杂质量分数为０.１５％时ꎬ形成的掺杂薄膜平整、 均匀ꎬ填充因子提高了１７.４２％ꎮ ＧＱＤｓ经还原后ꎬ随还原时间的延长ꎬ填充因子ＦＦ增大ꎮ 到４５ ｍｉｎ 时ꎬ电池 的ＦＦ基本稳定ꎬ从３１.５７％提高至４０.８０％ꎬ提高了２９.２４％ꎮ 退火后ꎬ获得了最佳的掺杂ＧＱＤｓ 的聚合物太 阳能电池ꎬ开路电压 Ｖ 为０.５４ Ｖꎬ填充因子ＦＦ为５５.５６％ꎬ光电转换效率为０.７５％ꎮ ｏｃ 关　 键　 词:氧化石墨烯ꎻ石墨烯量子点ꎻ掺杂ꎻＰ３ＨＴ∶ＰＣＢＭꎻ聚合物太阳能电池 中图分类号:Ｏ６４９ 　 　 　 文献标识码:Ａ　 　 　 ＤＯＩ:１０.３７８８/ ｆｇｘ１０８２ Ｅｆｆｅｃｔ ｏｆ Ｄｏｐｉｎｇ Ｇｒａｐｈｅｎｅ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｄｏｔｓ ｏｎ Ｔｈｅ Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ ｏｆ Ｐ３ＨＴ∶ＰＣＢＭ Ｓｏｌａｒ Ｃｅｌｌｓ １ ２ １ ＺＯＵ Ｆｅｎｇ￣ｊｕｎ ꎬＦＡＮ Ｓｉ￣ｄａ ꎬＸＩＥ Ｑｉａｎｇ ꎬ １ ３ ２ １∗ ＳＵＮ Ｙａｎｇ ꎬＳＵＮ Ｌｉ￣ｊｉｎｇ ꎬＬＩ Ｚｈａｎ￣ｇｕｏ ꎬＷＡＮＧ Ｌｉ￣ｊｕａｎ (１. Ｓｃｈｏｏｌ ｏｆ Ｃｈｅｍｉｃａｌ ＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇꎬＣｈａｎｇｃｈｕｎ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ ｏｆ ＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙꎬＣｈａｎｇｃｈｕｎ １３００１２ꎬＣｈｉｎａꎻ ２. ＳｔａｔｅＫｅｙ Ｌａｂｏｒａｔｏｒｙ ｏｎ Ｈｉｇｈ Ｐｏｗｅｒ ＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＬａｓｅｒｓꎬＣｈａｎｇｃｈｕｎ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ ｏｆ Ｓｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ ＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙꎬＣｈａｎｇｃｈｕｎ １３００２２ꎬＣｈｉｎａꎻ ３. Ｓｃｈｏｏｌ ｏｆ Ｂａｓｉｃ ＳｃｉｅｎｃｅｓꎬＣｈａｎｇｃｈｕｎ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ ｏｆ ＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙꎬＣｈａｎｇｃｈｕｎ １３００１２ꎬＣｈｉｎａ) ∗Ｃｏｒｒｅｓｐｏｎｄｉｎｇ ＡｕｔｈｏｒꎬＥ￣ｍａｉｌ:ｗｌｊ１５＠１６３.ｃｏｍ Ａｂｓｔｒａｃｔ:Ｉｎ ｏｒｄｅｒ ｔｏ ｓｔｕｄｙ ｔｈｅ ｅｆｆｅｃｔ ｏｆ