制备二氧化硅薄膜的质谱原位诊断及其特性研究-本原扫描探针显微镜.PDFVIP

第46 卷第1 期 真 空 VACUUM Vol. 46, No. 1 2009 年1 月 Jan. 2009 制备二氧化硅薄膜的质谱原位诊断及其特性研究 张军峰, 陈 强，张跃飞 ( 北京印刷学院印刷包装材料与技术北京市重点实验室，北京 102600 ) 摘 要：采用 40 kHz 中频脉冲电源，利用电容耦合等离子体增强化学气相沉积(PECVD）技术，以六甲基 二硅氧烷(HMDSO)为单体、氧气为反应气体，氩气为辅助气体，在PET 薄膜表面沉积应用于透明高阻隔包 装的氧化硅薄膜，并对其进行研究。在薄膜的制备过程中, 为了了解氧化硅的形成机理，通过四极杆质谱 仪对等离子体放电的气相中间产物及活性粒子进行原位检测；而通过傅立叶变换红外光谱仪( FTIR) 及 原子力显微镜（AFM）对沉积薄膜进行化学组成及表面形貌分析表征，探讨沉积过程中等离子体气相粒子 的产生