IGBT的芯片结构及失效模式.ppt

综述：IGBT芯片铝线和芯片表面键合位置为绑线点，当此位置出现类似现象时，可以判定为过电流损坏。 损坏的原因一般有以下几种： 1、输出短路或输出接地； 2、母线铜牌打火导致浪涌电流； 3、门极控制信号异常（有干扰源或者本身器件损坏） C、过热失效 故障点位于硅片中心附近,该区域发热严重。 IGBT芯片有龟裂的现象并且底部有锡溢出 IGBT芯片有龟裂的现象并且底部有锡溢出 典型过热损坏 IGBT芯片有龟裂的现象并且底部有锡溢出 IGBT芯片表面有熔融的球状物并且底部有锡溢出 综述：IGBT芯片有龟裂或者表面有熔融的球状物，出现此类现象时，可以判定为过电流损坏。 损坏的原因一般有以下几种： 1、瞬间通过极大电流导致瞬时结温过高； 2、散热不良，或者散热硅脂涂抹不到位； 3、器件本身空洞率过高 D、门极过电压 故障点位于栅氧化层, 由于栅氧化层几乎分布在硅片的每个部位，所以故障点可能随机出现在硅片的任意地方。 IGBT芯片门极绑线点有损坏的痕迹 放大后 IGBT芯片门极总线点有损坏的痕迹 综述：IGBT芯片门极绑线点或者门极总线有损坏，出现此类现象时，可以判定为门极过电压损坏。 损坏的原因一般有以下几种： 1、静电击穿； 2、门极有较大的电压振荡； 3、驱动电路有浪涌信号通过； D、功率循环疲劳 键合线从硅片脱落。由于热膨胀系数的不同而产