AURA1000型干法去胶机验收标准1.doc

附件B AURA 1000 型干法去胶机验收标准 Configration 设备配置： 150 mm wafer capability. 此设备用于6英寸硅片加工。 Auto pick and place wafer handling. 具有自动装卸片功能。 Precise downstream endpoint detection. 精确的终点检测功能。 More than 2 MFC. 至少有2路质量流量计控制。 Auto pressure control 自动压力控制。 Closed loop temperature control 闭路温度控制。 （原装A1000正常去胶时的温度为250-280度,如果温度太高，机器会拒绝工作，机器无法做到在指定温度下工作） Variable lamp heating for temperature control. 可控加热灯控制。 （原装机器是可以做到开灯时间的控制，但不知道他的要求是什么） Vacuum pump model : Edwards QDP 40+QMB 250(500). 真空泵型号为: EDWARDS QDP 40+QMB 250(500)。 Results 设备指标： Ash rates: 2um/min. positive photoresist 刻蚀速率：对于正胶，大于 2微米/分钟。 （翻新后的腔体是可以达到2微米/分钟，但过一段时间也会下降，基本可以稳定在1.7-1.8左右） Uniformity: 20% 均匀性：小于 20%。 （提醒客户均匀性要求太低，在去胶时会出现胶残留，如果延长去胶时间又会导致WAFER表面的损伤） Selectivity to underlying films: 1000:1 选择比：相对于底膜大于1000：1。 Throughput: up to 90 wph 每小时最大可产出90片硅片。 （要看具体的产品） Particle control : 0.2 p/cm2 0.3um 颗粒控制：对于0.3微米颗粒每平方厘米少于0.2个。 Damage control: 0.1V CV-shift for 250A gate oxide. 损伤控制：相对于250A的栅氧华层 CV-SHIFT 小于0.1V。 Utility 动力要求： Power supply: 208V 3Phase 50Hz 电源：208V 3相 50赫兹。 Others 其它： The shell of the equipment should be repainted. 设备翻新外壳重新喷漆。 The equipment should be completed, the appearance should be no scratch, no damage, no warp and no rust. 设备到货检查全部设备应无缺损，设备外观应无划伤，无破损，无变形，无腐蚀。 The equipment should be run a standard process more than 72 hours continuously without any stop and trouble. 设备调试验收在满足以上要求下设备连续运行72小时无故障。