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霍尔效应的研究历史与进展 第 PAGE \* Arabic \* MERGEFORMAT 9 页 霍尔效应的研究历史与进展 材1301-3 刘佩峰 摘要：霍尔效应—电磁效应的一种，当电流垂直于外磁场通过导体时，在导体的平行于磁场和电流方向的两个端面之间会出现电势差，从而产生的特殊效应；文中重点讲述了从1879年Hall发现了这一效应到1988年Haldane首次引入交错的磁通量，再到近几年，实验上首次成功剥离石墨烯以及发现拓扑绝缘体，量子反常霍尔效应得以被人们所关注。文中我们重点回顾了量子反常霍尔效应的研究进展，评述了石墨烯中的量子反常霍尔效应． 通过理论模型预言在石墨烯体系中引入交换场破坏时间反演对称性，通过考虑Ｒashba 自旋-轨道耦合，可在狄拉克点打开一个拓扑非平庸的量子反常霍尔效应体能隙，进一步分析解释其物理根源． 讨论了几种实验原型，尝试通过外部操控在石墨烯中实现量子反常霍尔效应． 关键词：霍尔效应历史；凝聚态物理；石墨烯；量子反常霍尔效应；Rashba自旋轨道耦合；交换场；拓扑量子态。 1、霍尔效应历史进程 1879 年，美国物理学家Hall 在实验中发现:入射电流由于受到垂直方向磁场洛仑兹力的作用，电子会在横向边界聚集，从而形成一个横向的电势差，这一现象便是著名的“霍尔效应”［1］，纵向电流与该横向电势差之比则称为霍尔电导． 在二维极限下，强磁场形成的量子化朗道能级导致了霍尔电导的整数量子化效应，即量子霍尔效应， 其最主要特点是二维体材料本身是绝缘的，但在边界上存在可导电的、单向传输的，且纵向电阻为0 的手性边缘态． 这些特性均源自二维体材料的拓扑特性． 该拓扑特征可用第1 类陈数( first Chern number)表征［5］． 然而，强磁场导致的朗道能级在该效应中并非必需的． 1988 年，Haldane［6］首次通过在六角蜂窝状晶格体系中引入交错的磁通量( 总磁通量为0) 发现: 在破坏了时间反演对称性后，即使无外磁场存在，也可打开一个非平庸体能隙来实现量子霍尔效应． 为区别于传统的强磁场导致的量子霍尔效应，零磁场时形成的霍尔电导量子化的现象被称为量子反常霍尔效应．在量子反常霍尔效应中，人们通过引入局域磁矩或交换场来破坏时间反演对称性． 而交错的磁通量的作用一般通过自旋-轨道耦合作用实现［7-10］． 由于不需要引入强磁场，该手型边缘态的发现使设计基于量子反常霍尔效应的、无耗散或低耗散的电子元器件成为可能． 2、霍尔效应进展（石墨烯） 在过去的20 多年间，虽然在探索如何实现量子反常霍尔效应方面开展了一些研究，但取得的进展非常有限． 直到最近几年，尤其是实验上首次成功剥离石墨烯［11］以及发现拓扑绝缘体［12］后，量子 反常霍尔效应才开始引起关注，并探索了多种实现该效应的方案［10， 13-17］． 非常有趣的是，基于两套具有相反自旋的量子反常霍尔效应，美国宾夕法尼亚大学的Kane 和Mele，以及斯坦福大学的张首晟研究组分别在石墨烯［18］和碲化汞［19］材料中预言了二维拓扑绝缘体和量子自旋霍尔效应，并且后者很快被实验所证实［20］． 随后，理论及实验上还发现很多材料都可以实现三维拓扑绝缘体．在二维及三维的拓扑绝缘体中，强的自旋-轨道耦合起了非常重要的作用．借助于三维拓扑绝缘体中强的自旋-轨道耦合作用，Yu 等［9］提出，在三维拓扑绝缘体薄层中掺杂磁性杂质引入交换场来破坏时间反演对称性的方案以实现量子反常霍尔效应． 经过大量的材料制备Zhang 等通过掺杂磁性杂质的方法在实验中观测到了量子反常霍尔应． 虽然已可以观测到量子反常霍尔效应，但需要在极低温条件下，离实际应用还有很大距离． 因此，寻求常温下的量子反常霍尔效应仍是一个有待解决的难题．石墨烯作为一种天然的二维材料，由于具有优异电学、磁学性质而引起广泛关注，是实现常温量子反常霍尔效应的一种很有希望的候选材料．本文基于石墨烯的量子反常霍尔效应展开讨论，介绍石墨烯的基本性质，利用一个简单理论模型说明可通过引入交换场和Ｒashba 自旋轨道耦合在石墨烯中实现量子反常霍尔效应，并解释其物理根源和几种可能的实验原型． 3、石墨烯中量子反常霍尔效应的理想模型及物理根源 基于Kane-Mele 模型，利用外禀Ｒashba 自旋轨道耦合效应取代内禀自旋轨道耦合作用，同时引入破坏时间反演对称性的交换场后，石墨烯的哈密顿量在紧束缚模型下可写为 其中，ciα、cjα分别为第i 个格点上自旋为α 的态的产生或湮灭算符; ^e 为z 方向单位矢量; σαβ为自旋初态为α、末态为β 的泡利矩阵; dij为由格点j 指向格点i 的矢量． 第1 项为最近邻跃迁的动能项，跃迁能量为t = 2. 6 eV; 第2 项为Ｒashba