掺杂单晶硅纳米薄膜杨氏模量的多尺度理论模型吕焕玲王静-物理学报.PDFVIP

掺杂单晶硅纳米薄膜杨氏模量的多尺度理论模型 吕焕玲 王静 Themulti-scaletheoreticalmodelsofYoungsmodulusofdopedmonocrystallinesiliconnano-film LüHuan-Ling WangJing 引用信息Citation: ActaPhysicaSinica,,236103(2015) DOI: 10.7498/aps.64.236103 在线阅读Viewonline: /10.7498/aps.64.236103 当期内容Viewtableofcontents: /CN/Y2015/V64/I23 您可能感兴趣的其他文章 Articlesyoumaybeinterestedin 聚酰亚胺/钽铌酸钾纳米颗粒复合材料结构与机械性能分子动力学模拟 Moleculardynamicssimulationstudyonthestructureandmechanicalpropertiesofpolyimide/KTa Nb O ticlecomposites 物理学报.2015,64(12):126202 /10.7498/aps.64.126202 层厚度和应变率对铜-金复合纳米线 阅苡跋斓哪Ｄ庋芯 Effectsoflayerthicknessandstrainrateonmechanicalpropertiesofcopper-goldmultilayernanowires 物理学报.2015,64(1):016201 /10.7498/aps.64.016201 铒离子注入绝缘体上Si的射程分布研究 InvestigationonrangedistributionofErionsimplantedinsilicon-on-insulator 物理学报.2014,63(17):176101 /10.7498/aps.63.176101 掺杂对多层Ge/Si(001)量子点光致发光的影响 EffectofdopingonthephotoluminescenceofmultilayerGequantumdotsdepositedonSi(001)substrate 物理学报.2013,62(7):076108 /10.7498/aps.62.076108 量子阱Si/SiGe/Sip型场效应管阈值电压和沟道空穴面密度模型 Threshold-voltageandhole-sheet-densitymodelofquantumwellSi/SiGe/Sipfieldeffecttransistor 物理学报.2012,61(16):166101 /10.7498/aps.61.166101 物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 64, No. 23 (2015) 236103 掺杂单晶硅纳米薄膜杨氏模量的多尺度理论模型 吕焕玲 王静 (新疆大学物理科学与技术学院, 乌鲁木齐 830046) ( 2015 年6 月2 日收到; 2015 年7 月27 日收到修改稿) 硅纳米材料物理性能的研究对其在半导体技术中的应用是十分重要的. 而掺杂有利于改善硅纳米材料的 物理特性, 提高应用价值, 所以本文基于半连续体模型运用Keating 形变势, 通过模型计算, 研究了不同位置 及不同掺杂浓度的单晶硅纳米薄膜[100]方向的杨氏模量, 分析了掺杂浓度及掺杂位置不同时硅膜杨氏模量 与膜厚关系, 结果表明, 与纯硅膜杨氏模量相比, 不同位置的掺杂对硅膜杨氏模量的影响并不明显, 不同浓度 的掺杂对硅膜杨氏模量的影响较小. 而随着硅膜厚度的不断增加, 掺杂硅膜杨氏模量与纯硅膜杨氏模量的变 化趋势一致, 特别是较小尺寸时的硅膜杨氏模量变化较大. 说明影响硅膜杨氏模量的主要因素是硅膜厚度. 该计算结果对研究硅纳米材料的其他力学特性有一定的参考价值, 也为进一步研究掺杂对纳米硅材料力学性 能的影响提供一种全新思路. 关键词: 硅纳米薄膜, 杨氏模量, 掺杂 PACS: 61.72.uf, 6