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氮化物半导体光源 课题名称： 氮化物半导体光源 成 员: XX XXXXXXXXXXX 专 业： 光电信息工程 时 间： 2012 年 12 月 25 日 氮化物半导体光源 XXXXXXXXXXX 引言 近年来，以GaN为代表的宽带隙半导体的发展异常迅速，成为半导体领域研究和开发的新热点。其实应用于器件并真正起作用的是三元化合物A1GaN、GaInN、AlInN及其构成的半导体微结构材料。目前，GaN材料制作的短波长发光器件己取得了令世人瞩目的进展利用GaN材料制作耐高温的高频大功率器件是另一个重要的发展方向。 简介 在半导体行业的发展进程中，人们通常把Si和Ge元素半导体称为第一代电子材料，把GaAs、InP、InAs等化合物半导体称为第二代半导体材料，而把Ⅲ族氮化物（包括GaN、相关化合物InN、AlN及其合金)、SiC、InSe、金刚石等宽带隙的化合物半导体称为第三代半导体材料，优良的光、电特性、良好的机械性质及其特有的带隙范围，使其在光电器件、大功率、器件中有着极其广泛的应用前景。 以GaN为代表的带隙范围，可以形成从InN的1。9eV到GaN的3。4eV，其相对应的直接带隙波长覆盖了从红、黄、绿到紫外光的范围，可以实现半导体发光器件的发光波长覆盖全部可见光的范围，就可实现图像的全色显示，并扩展到许多其它领域。由于氮化镓单晶生长极其困难，且单晶直径太小，不能达到实用化的目的。现在已经可以在一些特定的衬底材料上外延生长得到质量较好的GaN外延层。 基本结构和性质 Ш族氮化物，主要包括GaN、AlN、InN (E g 213V )、AlGaN、Ga InN、 AlInN 和AlGaInN 等，其禁带宽度覆盖了红、黄、绿、蓝、紫和紫外光谱范围。在通常条件下，它们以六方对称性的铅锌矿结构存在，但在一定条件下也能以立方对称性的闪锌矿结构存在。两种结构的主要差别在于原子层的堆积次序不同，因而电学性质也有显著差别。实验上观察到纤锌矿的结构相是较为稳定的，立方的闪锌矿结构相是较不稳定的，并且只有在立方结构的母体上生长时才能被观察到，比如GaAs母体等。表2 给出了两种结构的AlN、GaN 和InN 在300K 时的带隙宽度和晶格常数。 GaN 是Ш族氮化物中的基本材料，也是目前研究最多的Ш族氮化物材料。GaN 材料非常坚硬， 其化学性质非常稳定，在室温下不溶于水、酸和碱，其融点较高， 约为1700℃。GaN 的电学性质是决定器件性能的主要因素。电子室温迁移率目前可以达900cm2/(V ·s)。在蓝宝石衬底上生长的非故意掺杂的GaN 样品存在较高( 1018/ cm3) 的n 型本底载流子浓度，现在较好的GaN 样品的本底n 型载流子浓度可以降到1016/cm3 左右。由于n 型本底载流子浓度较高，制备p 型GaN 样品的技术难题曾经一度限制了GaN 器件的发展。1988 年Akasaki 等人首先通过低能电子束辐照( IEEB I) ，实现掺Mg的GaN 样品表面p-型化， 随后N akamura 采用热退火处理技术，更好更方便地实现了掺Mg的GaN 样品的p-型化，目前已经可以制备载流子浓度在1011～ 1020/ cm3 的p-型GaN 材料。 在GaN 材料体系中，GaInN 的使用最为广泛。这是因为Ga InN 为直接带隙材料，通过改变In 组分，可以调整发光波长，发光范围基本可以覆盖整个可见光光谱； 另外GaInN 的电子迁移率较高，适合制作高频电子器件。但是在In 组分较大时，GaInN 同GaN 或AlN 的晶格失配较大，材料生长较为困难。 Ш族氮化物及其合金具有直接宽带隙，这使得其具有导带底和价带顶在布里渊空间的相同点，在这种情况下，跃迁过程中波矢量可以看作是不变的。在能带图上，初态和末态在同一条竖直线上，因此这样的跃迁也称为直接跃迁。GaN、InN、AlN都是直接带隙材料，这种直接带隙半导体与导带底和价带顶在布里渊空间不同点的间接带隙半导体相比，其发光效率要大得多，因此制作利用电子-空穴复合发光的光学器件时，一般用的是直接带隙半导体。 半导体材料禁带的直观比较图 氮化物半导体光源 4．1宽禁带GaN基半导体激光 从第一个脉冲激射的GaAs激光器到实现室温连续工作，经历了10多年时间，此后为解决GaAs激光器的暗线缺陷衰变即寿命问题又经历了1O年。而GaN基激光器的发展进程则比GaAs激光器短得多。日本日亚公司的Nakamura于1995年12月实现了第一个InGaN多量子阱半导体激光器的室温脉冲激射。l2个月后InGaN多量子阱