- 1、本文档共8页,可阅读全部内容。
- 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
- 5、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
- 6、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 7、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 8、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
学院 姓名 学号 任课老师 选课号/座位号
………密………封………线………以………内………答………题………无………效……
第 PAGE 8 页 共 NUMPAGES 8页
电子科技大学二零一零至二零一一学年第一学期期末考试
课程考试题 B卷 ( 120分钟) 考试形式:闭卷 考试日期 2011年 月 日
课程成绩构成:平时 15 分, 期中 5 分, 实验 10 分, 期末 70 分
一
二
三
四
五
六
七
八
九
十
合计
复核人签名
得分
签名
得 分可能用到的物理常数:电子电量q=1.602×10-19C,真空介电常数ε0=8.854×10-12F/m,室温(300K)的k0T=0.026eV,SiO2相对介电常数=3.9, N C=2.8×1019cm-3,300K时,ni(GaAs
得 分
一、多选题:在括号中填入正确答案(共30分,共 19题,每空1分)
命题人:刘诺1-14题,罗小蓉15-19题
受主是能增加(B)浓度的杂质原子,施主是能增加(A)浓度的杂质原子,
A、电子 B、空穴
如果杂质在化合物半导体中既能作施主又能作受主的作用,则这种杂质称为( B )。
受主 B、 两性杂质 C、施主
对于掺杂浓度为ND的非简并半导体,0 K下,其电子浓度=( D );在低温下,其电子浓度=( B );在高温本征温度下,其电子浓度=( C );
ND B、nD+ C、ni D、0
对于宽带隙的半导体,激发电子从价带进入导带需要更( A )的能量,本征
温度区的起始温度更( A )。
高 B. 低
在一定温度下,非简并半导体的平衡载流子浓度的乘积(C)本征载流子浓度的平方。该关系( D )于本征半导体,( D )于非本征半导体。
A、 大于 B、 小于 C、等于 D、 适用 E、 不适用
电子是(A),其有效质量为(D);空穴是(B),其有效质量为(C)。
A、粒子 B、准粒子 C、 负 D、 正 E、 0
7. p型半导体中的非平衡载流子特指( C ),其空穴的准费米能级( I )电
子的准费米能级。
A、n0 B、p0 C、Δn D、Δp E、n F、p
G、 高于 H、等于 I、小于
8. 在室温下,低掺杂Si的载流子散射机制主要是( B D )。
A、压电散射 B、电离杂质散射 C. 载流子-载流子散射 D.晶格振动散射
9. Dμ=k0Tq
A、简并 B、非简并
10. Ge和Si是( B )能隙半导体,( D)是主要的复合过程。而GaAs是( A)
能隙半导体,( C )是主要的复合过程。
A、直接 B、 间接 C、直接复合 D、间接复合
11. 在外加电场作用下,载流子的( C)运动是定向的。在无外加电场时,载流子
的( B)运动是随机的。
A、扩散 B、 热 C、漂移
12. p型半导体构成的MIS结构,若Wm Ws,假定绝缘层中无电荷时,其平带电压
( A )。
A、VFB0 B、VFB0 C、VFB=0
13. 最有利于陷阱作用的能级位置在( C )附近,常见的是( E )的陷阱
A、EA B、ED C、 EF
文档评论(0)