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第二章 晶体硅太阳能电池 5)、温度系数 开路电压和光伏材料能隙宽度之比，是一个预测太阳能电池的温度系数的主要参数。这些电池高的开路电压(约667mV)，将产生约为0.38%/℃温度系数。这比传统太阳电池的温度系数（0.5%/℃)要低20%，高开压电池可以在标准测试条件、额定功率条件下提供更高的能量。图3.22显示出该类电池开路电压与温度的关系。 6）、稳定性 用Sunpower生产线生产的电池组成的组件已经通过了相关的质量认证，包括湿热循环、湿冷循环、热循环、热点和紫外辐射。Sunpower公司的n型PV-FZ电池并没有出现p型CZ硅电池中出现过的光照衰 减现象。 第二章 晶体硅太阳能电池 3.5、 HIT电池 三洋公司采用HIT(异质结)电池结构，面积为100.4cm2的电池，曾创造过世界纪录，即转换效率达21.8%(Voc为0.718V,Isc为3.852A，FF为79%)。通过优化硅片表面清洗工艺和高质量低损伤的a一si沉积技术，实现了优异的c--Si/a一Si界面特性，进而得到了这一世界纪录的。 HIT结构所具有的优异的c-Si/a-Si界面特性使得电池开路电压高达710mv。最近，他们又将开路电压记录提高到接近730mV，这表明HIT电池的效率还有 上升空间。如此高的开路电压不仅有助于提高效率，而且可以改善温度系数，这对于实际的户外应用是极为有利的。 HIT太阳电池的结构特色是在p+型或n+型和n型c-Si之间夹有一层极薄的本征a-Si层。这一结构基于三洋在制备高质量a-Si薄膜和a-Si电池时采用的低等离子体/热损伤沉积技术。这种简单而又新颖的结构吸引了越来越多的关注，原因如下: (l) 这一结构可以采用高质量的本征a-Si薄膜实现对c-Si表面缺陷出色的钝化效果，进而可以得到高效率，尤其是高开路电压。 〔2) HIT电池的低温(小于200℃)工艺和对称结构可以抑制制备过程中的热应力和机械应力对硅片的影响，因而可以采用更薄的硅片。 〔3)HIT电池的温度系数优于传统c-Si因此可以在高温下实现更高的功率输出。 第二章 晶体硅太阳能电池 3.5.1、结构 图3.23给出了目前正在量产的标准的HIT电池的结构示意图。带有绒面的 太阳能级CZ硅片夹在作为受光面的p/i a-Si和作为背表面电场(BSF)的i/n a-Si之间，形成“三明治”结构。透明导电膜（TOC）和金属电极在p和n两层 掺杂层上形成。所有的工艺都在200℃以下完成。顶层的TOC还起着减反层的作用，其厚度需要满足减反层的要求。减反层上的指状电极间距为2mm，这比传统的p/n结扩散电池的指状电极间距窄，目的是为了弥补TCO较差的方块电阻。背面电极也做成指状的，目的是为了获得对称的HIT电池，以此减小器件的热应力和机械应力。这使得HIT电池可以满足不同的应用需求，如双面组件。这种对称结构和低温工艺有利于电池厚度的减薄。 第二章 晶体硅太阳能电池 3.5.2 HIT结构的效果 图3.24给出了通过碘酒化学钝化和采用a-Si沉积的HIT结构钝化后用μPCD法测得的少子寿命的比较。通常认为碘酒钝化的效果比热氧化钝化的效果好。如图所示， HIT结构钝化的少子寿命高于碘酒化学钝化。这使得我们可以确认HIT结构对c-Si表面的钝化效果要优于热氧化钝化。 图3.25给出了H IT电池和p型a-Si / n型c-Si异质结电池的暗态I-V曲线。采用HIT结构，反向电流密度减小了2个数量级，并且在低压区域的正向电流明显增大。这一结果表明，由于HIT结构对c-Si实施了出色的表面钝化，由此得到了低的载流子复合速率和更好的pn结性能。 第二章 晶体硅太阳能电池 第二章 晶体硅太阳能电池 3.5.3、高效HIT电池 1)、高质量a一Si薄膜 为了在HIT结构中获得优异的钝化效果，高质量的a-Si膜必不可少。 图3.26给出了各种沉积温度下缺陷态密度和沉积速率(Rd) 的关系。可以通过调整SiH4气体流量、沉积气压和沉积功率密度控制a-Si薄膜的沉积速率。图中给出了每一个沉积温度下的最优沉积速率。结果表明可以通过调整沉积温度和沉积速率来控制a-Si薄膜的性能。图3.27表明了a-Si薄膜的缺陷态密度与光学带隙的关系，其中光学带隙可以通过(αhv)1/3与hv的关系得出。考虑到不同的符号代表不同的沉积温度。图3.27的结果表明，缺陷态密度主要取决于光学带隙而非诸如沉积温度等的沉积条件。而且，存在一个优化的光学带隙范围可以获得低的缺陷态密度。低缺陷态密度的高质量a-Si薄膜有助于获得高效率的HTT太阳电池。 第二章 晶体硅太阳能电池 第二章 晶体硅