一种微加速度计设计与制造科目讲解.pptVIP

一种MEMS压阻式微加速度计设计与制造;　　　　　　　　目录;微加速度计;微加速度计国内外现状及应用;微加速度计典型汽车用产品;微加速度计发展趋势;　　(4) 除了基于半导体平面工艺的特殊结构电容式加速度计成本较低，利于批量生产外（例如AD 公司的微加速度计系列），其他原理的加速度计的制作成本相对较高，不利于批量生产; 　　针对上述问题，国内外研究人员已经进行了充分的研究。采用相关双采样接口电路能提高微弱信号的检测能力，降低电路噪声干扰。利用静电力平衡实现微加速度计的闭环控制，提高器件的动态性能，避免支撑梁发生大形变，降低传感器的迟滞和非线性影响，提高器件的可靠性。也有学者采用在线温度补偿技术，实现微加速度计温漂补偿。同时微机电系统技术的进步和工艺水平的提高，也给微加速度计的发展带来了新的机遇。通过了解国内外微加速度计的研究动态，分析其研究特点，总结出微加速度计以下几点发展趋势: 　　(1) 高分辨率和大量程的微硅加速度计成为研究的重点。由于惯性质量块比较小，所以用来测量加速度和角速度的惯性力也相应比较小，系统的灵敏度相对较低，这样开发出高灵敏度的加速度计显得尤为重要。无论是民用还是军事用途，精度高、量程大的微加速度计将会大大拓宽其运用范围。 　　(2) 温漂小、迟滞效应小成为新的性能目标，选择合适的材料，采用合理的结构，以及应用新的低成本温度补偿环节，能够大幅度提高微加速度计的精度。;(3) 多轴加速度计的开发成为新的方向。已经有文献报道开发出三轴微硅加速度计，但是其性能离实用还有一段距离，多轴加速度计的解耦是结构设计中的难点。 (4) 将微加速度计表头和信号处理电路集成在单片基体上，也能够减小信号传输损耗，降低电路噪声，抑制电路寄生电容的干扰。 (5) 选择合理的工艺手段，降低制作成本，为微加速度计批量化生产提供工艺路线;同时，标准化微机电系统工艺，为微加速度计投片生产提供一套利于操作、重复性好的工艺方法，也是微硅加速度计发展的重要方向。 ;品质因子;　　由图可见，为提高灵敏度，需要降低固有频率。降???固有频率有两个方案：降低刚度或增大质量。;微加速度计的分类;　　压阻式微加速度计是由悬臂梁和质量块以及布置在梁上的压阻组成，横梁和质量块常为硅材料。当悬臂梁发生变形时，其固定端一侧变形量最大，故压阻薄膜材料就被布置在悬臂梁固定端一侧（如图所示）。当有加速度输入时，悬臂梁在质量块受到的惯性力牵引下发生变形，导致固连的压阻膜也随之发生变形，其电阻值就会由于压阻效应而发生变化，导致压阻两端的检测电压值发生变化，从而可以通过确定的数学模型推导出输入加速度与输出电压值的关系。;电阻;对晶体材料，电阻率与应变有关，定义压阻系数：;加速度传感器结构原理图;固支梁上表面的应力分布示意图;式中　　为轴向应力，这里取值为90MP。 　　等效刚度的增大，使得在同样外加加速度情况下，质量块产生的位移减小为无轴向力时的　　，对应的梁根部弯曲应变也相应减小，最终导致压阻灵敏度减小为无残余应力情况时的　　　带入相应数据得到　　为8.405。;自检测功能原理;MEMS压阻式加速度计主要制造工艺;　　(1)首先在450um的双抛硅片上进行磷离子注入，形成衬底电极。接着氧化一层0.1um厚德二氧化硅，然后利用LPCVD工艺在二氧化硅层上沉积一层0.3um厚的低应力氮化硅作为隔离层。接下来淀积２um的LTO(low temperatere oxide)作为牺牲层。在LTO层上利用RIE进行刻蚀，形成腐蚀孔。同时由于质量块区域面积较大，为防止后面形成的氮化硅薄膜出现坍塌，还要在适当的位置刻出略小于腐蚀孔的空洞，以便形成氮化硅立柱支撑薄膜结构。接着淀积0.25um的PSG覆盖LTO牺牲层，由于可是孔位置的LTO已被上一步的RIE刻蚀掉，所以刻蚀孔处只淀积了0.25um的PSG，这就为后面释放LTO牺牲层留出了腐蚀通道。同时还要利用RIE工艺将预留的支撑立柱位置处的PSG刻蚀掉。接下来LPCVD沉积1.2um厚德低应力氮化硅薄膜形成传感器立体结构。再沉积一层0.4um的多晶硅层，对其进行离子注入掺入杂质硼。然后刻出电阻条，形成的方块电阻大约90欧姆。 　　(2)利用RIE工艺，在结构上刻开刻蚀孔，然后用百分子四十的氢氟酸溶液腐蚀掉结构下面的牺牲层。接着淀积1.4um厚德TEOS(tetrethylorthosilicate)堵住腐蚀孔，防止释放后的薄膜结构在后续工艺中被破坏。在沉积一层0.1um的低应力氮化硅作为钝化层。接着刻蚀引线孔，;溅射1.2um的金属铝，刻出铝引线，连接电阻形成惠斯通桥。同时铝线分别连接到衬底和铜质量块，形成自检测电极的输入端 　　(3)在整片上溅射0.15um钛钨/铜作为种子层，利用???刻胶做掩膜进行电镀，在结构的惯性质量区域电镀９um厚