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* * 第一章 1.5 半导体三极管 半导体三极管 一、三极管 基本结构 B E C N N P 基极 发射极 集电极 NPN型 P N P 集电极 基极 发射极 B C E PNP型 B E C N N P 基极 发射极 集电极 基区：较薄，掺杂浓度低 集电区：面积较大 发射区：掺 杂浓度较高 B E C N N P 基极 发射极 集电极 发射结 集电结 IC mA ?A V V UCE UBE RB IB EC EB 1.实验线路 二、 电流分配和放大原理 IC IB IE 2.实验数据 (1) IE = IB+IC (2) IC (或IE )?IB 这就是晶体管的 电流放大作用 3.四个结论： (3)当IB当=0时, IC =ICEO0.001mA=1uA (4)要是晶体管起放大作用,其外部条件: 发射结正偏,集电结反偏. B E C N N P EB RB Ec 发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。 基区空穴向发射区的扩散可忽略。 IBE 进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBE ，多数扩散到集电结。 4.晶体管内部载流子运动规律 IE B E C N N P EB RB Ec 集电结反偏，有少子形成的反向电流ICBO。 ICBO 从基区扩散来的电子作为集电结的少子，漂移进入集电结而被收集，形成ICE。 IC=IC