1-半导体基础知识76642.pptVIP

三、晶体管的共射输入特性和输出特性 为什么UCE增大曲线右移？ 对于小功率晶体管，UCE大于1V的一条输入特性曲线可以取代UCE大于1V的所有输入特性曲线。 为什么像PN结的伏安特性？ 为什么UCE增大到一定值曲线右移就不明显了？ 1. 输入特性 * 2. 输出特性 β是常数吗？什么是理想晶体管？什么情况下 ? 对应于一个IB就有一条iC随uCE变化的曲线。 为什么uCE较小时iC随uCE变化很大？为什么进入放大状态曲线几乎是横轴的平行线？ 饱和区 放大区 截止区 * 晶体管的三个工作区域 晶体管工作在放大状态时，输出回路的电流 iC几乎仅仅决定于输入回路的电流 iB，即可将输出回路等效为受电流 iB 控制的电流源iC 。 状态 uBE iC或iB uCE T工作条件 截止 ＜Uon ICEO VCC e结反偏，c结反偏 放大 ≥ Uon βiB ＞uBE e结正偏，c结反偏 饱和 ≥ Uon IB’＞iC/β ≤uBE e结正偏，c结正偏 * 四、温度对晶体管特性的影响（P36-1.3.5) * 五、主要参数（P34-1.3.4) 直流参数： 、 、ICBO、 ICEO c-e间击穿电压 最大集电极电流 最大集电极耗散功率，PCM＝iCuCE 安全工作区 交流参数：β、α、fT（使β＝1的信号频率）