实验二 射频前端上变频器测试.docVIP

微波通信综合实验 PAGE 26 PAGE 25 实验二 射频前端上变频器实验 一、实验目的 1、了解射频前端上变频器基本结构与主要设计参数。 2、利用实验模块的实际测量了解射频前端上变频器的特性。 二、预习内容 1、预习带通滤波器、混频器、锁相本振源的原理的理论知识。 2、预习带通中频放大器、滤波器、混频器、锁相本振源的设计的原理的理论知识。 三、实验设备 项次 设备名称 数量 备注 1 频谱仪 1套 2 混频器、锁相本振源、滤波器 1套 3 HD1252-2.4G扫频仪 1套 4 SMB 连接电缆线 2条 四、理论分析 基本结构与设计参数说明： 在无线通讯中，射频发射器担任着重要的角色。无论是话音还是数据信号要利用电磁波传送到远端，必须使用射频前端发射器。如图7－1所示，它大抵可分成九个部分。 中频放大器(IF Amplifier) 中频滤波器(IF Bnadpass Filter) 上变频混频器(Up-Mixer; Up Converter) 射频滤波器(RFBandpass Filter) 载波振荡器(Carrier Oscillator; Local Oscillator) 所以,在此单元中将就上变频器部分的基本原理做一说明。并介绍发射器的几个重要设计参数。 IF70MH IF 70MHz BPF 2300 MHz LO 2230MHz INPUT LO RF IF 频谱 分析仪 混频器 混频器 图7-1 基本射频前端发射器结构图 图7-1 基本射频前端发射器结构图 升频混频器的基本原理 升频混频器的基本电路结构图如图7-2所示。在二极管上的电流如式(7-1)所示。 匹配 匹配 电路 匹配 电路 匹配 电路 滤波器 IF PIF RF PRF LO 图7-2 基本混频器电路结构图 混频 二极管 其中 IS——二极管的饱和电流 VIF——中频信号的振幅大小 fIF —— 中频信号的频率大小 VLO—— 载波信号的振幅大小 fLO ——载波信号的频率大小 混频后的输出射频频率为 其中 m，n可为任意正负整数 在绝大多数情况下,RF频率应是载波与IF频率的和或差,即是。至于取和频或差频则根据发射器射频指标及系统参数,利用射频输出端的滤波器可以阻隔三端间的互相干扰( ISOLATION),以避免其他不必要的混频信号漏(LEAKAGE)到输出端造成的噪声(SPURIOUS)。 主要的噪声信号,有下列几种: (假设) 镜频信号 ( IMAGE FREQUENCY ): 载波信号的谐波( CARRIER HARMONICS ): ，n=正整数 边带谐波信号( HARMONIC SIDEBANDS ): 上述噪声皆是在混频器及滤波器设计中,需要特别加以抑制处理的。 混频器的主要技术参数 变频耗损或增益( CONVERSION LOSS/GAIN,L C) 除非有特别注明,一般的变频损耗皆按上式定义,即单边带变频耗损( SINGLE-SIDEBAND(SSB) CONVERSION LOSS ), 即只考虑射频输出信号频率为fLO+fIF或fLO-fIF。若是定义为双边带变频损耗(DOUBLE-SIDEBAND(DSB) CONVERSION LOSS), 则比单边带转频损耗低3dB。 输入端回波损耗或电压驻波比( PORT RETURN LOSS OR VSWR) 如同其他射频电路,输入端的回波损耗或电压驻波比是评价匹配与否的重要参数。对混频器而言,其输入端电压驻波比规格一般定在2 : 1 (IRL=-10 ), 最差为2.5 : 1 (-7.3)。 而各端口的回波损耗,受LO端输入功率的增加,各端口的阻抗会随之降低,致使各端口的回波损耗变大。 信号端与本振端的隔离比(PORT ISOLATION) 信号端与本振端的隔离比为评价LO端与RF端,和LO 端与IF端的噪声的干扰抑制程度。 LO端最低输入功率(MINIMUM LO POWER REQUIRED) 对于混频器而言,LO端最低输入功率的大小直接影响到混频的效果好坏。所以,一般有此项指标。而功率越低应用越方便。 镜象抑制度( IMAGE REJECTION) 对于下变频混频器而言,IF 输出信号频率可由LO与RF两输入端信号频率相减而得。以fIF=fRF-fLO为例,镜象为fim = 2fLO-fRF。即若RF端输入镜象信号也可得到同频的IF信号, fim -fRF = fIF。 镜象所造成的问题有二：第一是提供干扰信号通路,即是镜象信号会从RF端进入,可能从IF端输出。如此势必干扰到真正系统设计的RF信号的变