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2019-03-30 发布于湖北
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基础电子技术逸夫楼607yrf@hit.edu.cn 本节内容场效应晶体管结型场效应管结构、特性曲线绝缘栅型场效应管结构、特性曲线结型场效应管结构和符号结构示意图 uGS对导电沟道的控制作用(uDS=0) uGS对导电沟道的控制作用(uDS=0) uDS对导电沟道的控制作用 UGS(off) uGS 0，且uGS =const uDS对导电沟道的控制作用漏极输出特性曲线转移特性曲线 N沟道增强型MOSFET 栅源电压UGS对沟道的影响(uDS=0) 漏源电压uDS对沟道的影响(uGDuGS（th）) 漏源电压uDS对沟道的影响(uGDuGS（th）) 特性曲线 N沟道耗尽型MOSFET * * N沟道结型场效应管 uGS=0 UGS（off）uGS0 uGS= UGS（off） uDS=0 uDS0↑且uGDUGS(off) 假设夹断电压为uGS(off)=-4V。当uDS0时，假设uD=1V，由于有电流从d流向s，那么把沟道分成多个小块看的话，每个小块相当于一个电阻，1V的电压将降落在d-s间沟道内，从d到s，沟道中的点电压逐渐减小，沟道中的点与栅极g之间的反偏电压逐渐减小，即沟道中各点与栅极间耗尽层宽度逐渐减小，则导电沟道从d到s逐渐变宽。 uDS↑到uGD=UGS(off) uDS↑到uGDUGS(off) UGS(off) uGS 0，且uGS =const N沟道结型场效应管 0uGS UGS（th） UGS（th）uGS uDS=0 uDS↑且0 uGDuGS（th）