LED主要参数与特性.docVIP

HYPERLINK /news/200752215445100.Shtml LED是利用化合物材料制成pn结的光电器件。它具备pn结结型器件的电学特性：I-V特性、C-V特性和光学特性：光谱响应特性、发光光强指向特性、时间特性以及热学特性。 　　1、LED电学特性 　　1.1I-V特性表征LED芯片pn结制备性能主要参数。LED的I-V特性具有非线性、整流性质：单向导电性，即外加正偏压表现低接触电阻，反之为高接触电阻。 　　(1)正向死区：（图oa或oa′段）a点对于V0为开启电压，当V＜Va，外加电场尚克服不少因载流子扩散而形成势垒电场，此时R很大；开启电压对于不同 HYPERLINK /news/2007522153246889.Shtml LED其值不同，GaAs为1V，红色GaAsP为1.2V，GaP为1.8V，GaN为2.5V。 　　（2）正向工作区：电流IF与外加电压呈指数关系 　　IF=IS(eqVF/KT–1)-------------------------IS为反向饱和电流。 　　V＞0时，V＞VF的正向工作区IF随VF指数上升IF=ISeqVF/KT 　　（3）反向死区：V＜0时pn结加反偏压 　　V=-VR时，反向漏电流IR（V=-5V）时，GaP为0V，GaN为10uA。 　　（4）反向击穿区V＜-VR，VR称为反向击