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MOS 场效应管原理 场效应管是另一种半导体器件，工作原理与三极管有很大区别。场效应管是电压控制电流的 器件，工作时不从前级电路取电流，因此，场效应管电路的输入电阻高。另外，场效应管的 制作工艺简单，功率损耗小，在集成电路中有广泛应用。场效应管容易受静电击穿而损坏， 使用时要注意保护。  场效应管有两种：一种称为结型场效应管；另一种是绝缘栅型场效应管，又称 MOS 管。下 面分别简要介绍它们的结构和工作原理。  1.6.1 三极管的电路模型  1．工作原理   根据导电沟道的不同，结场效应管分成 N 沟道结型场效应管和 P 沟道结型场效应管，下面 仅以 N 沟道结型场效应管为例说明其工作原理。场效应管是一种载流子导电，这是与三极 管的根本区别，有时将三极管称为双极型晶体管。  （1）N 沟道场结型效应管的结构和工作原理如下图所示，在一块 N 型半导体上分别制作出 两个 P 型区，分别引出电极。三个电极分别称为栅极（G ）、源极（S ）和漏极（D）。    在两种半导体的交界面处会形成 PN 结（PN 结‐‐采用不同的掺杂工艺,将 P 型半导体与 N 型 半导体制作在同一块硅片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称 PN 结。PN 结具有单向导 电性。），PN 结的耗尽区内没有载流子（载流子包括自由电子和空穴 ‐‐‐‐‐共价键中的一些价 电子由于热运动获得一些能量，从而摆脱共价键的约束成为自由电子，同时在共价键上留下 空位，我们称这些空位为空穴）。使用时 D‐S 间加正电压，G‐S 间加负电压。对于一定的 uGS 值，uDS 的存在使得耗尽区的形状上下不对称，上部较宽而下部较窄。但是只要较宽的部分 没有相接触，从 D 到 S 之间就有导电沟道存在，从 D 到 S 相当于有一个非线性电阻（电阻 两端的电压与通过它的电流成正比，其伏安特性曲线为直线这类电阻称为线性电阻，其电阻 值为常数；反之，电阻两端的电压与通过它的电流不是线性关系称为非线性电阻，其电阻值 不是常数）。  当 uDS 增加到一定值时，上部两边的 PN 结相互接触，称为予夹断。予夹断后 D‐S 间的电流 由下部没有夹断部分导电沟道的载流子形成，基本不随uDS 的增加而增加，呈现恒流特性， 参考图 1‐34。此恒流电流受 uGS 值控制，uGS 反向电压 uGS 越小，iD 越大。    如果栅极反向电压增大，两边耗尽区的接触部分增加，当 uGS 达到一定值时，两边的 PN 结 全部交叠，导电沟道被全部夹断，iD＝0，相当于三极管的截止。如图 1‐35 所示。   .6.1 三极管的电路模型  （2 ）P 沟道场结型效应管的结构  P 沟道场结型效应管的结构与 N 沟道结型场效应管的结构类似，但导电沟道是 P 型半导体， 两 侧 是 N 型 半 导 体 。 其 结 构 和 符 号 见 图 1‐36 。      使用时 G‐S 间加正电压，D‐S 间加负电压，因此 iD＜0 。其工作原理与 N 沟道结型场效应管 相同，这里不再赘述。  2．特性曲线  （1） 转移特性曲线   三极管是电流控制电流的器件，通过它的输入特性和输出特性来描述它的性能。而场效应管 是电压控制电流的器件，由于栅极没有输入电流，讨论其输入特性就没有意义了。这里用转 移特性来描述管子的输入和输出之间的控制关系，所谓转移特性，是指在一定的漏极电压 uDS 的情况下，栅极电压 uGS 对漏极电流 iD 的控制特性。图 1‐37 是 N 沟道结型场效应管的 转移特性曲线。    图 1‐37 中，对应于 iD＝0 的电压 VP 称为夹断电压；当 uDS＝0 时的漏极电流称为饱和漏极 电流 IDSS，当栅极电压从 0～VP 间变化时可以控制电流 iD。当 uDS 变化时，转移特性移动， 形成一簇曲线，但是当 uDS 达到一定值后（比如 5V ），特性曲线基本重合。在电路中 uDS 一般会大于这个值，这是可以认为特性曲线重合成一条曲