第2章电力电子器件53748.ppt

充放电型RCD缓冲电路，适用于中等容量的场合。 di/dt抑制电路和 充放电型RCD缓冲电路及波形 a) 电路 b) 波形 图2-40示出另两种，其中RC缓冲电路主要用于小容量器件，而放电阻止型RCD缓冲电路用于中或大容量器件。 图2-40　另外两种常用的缓冲电路 a) RC吸收电路　 b) 放电阻止型RCD吸收电路 缓冲电路（Snubber Circuit） 2.7.3 缓冲电路中的元件选取及其他注意事项 Cs和Rs的取值可实验确定或参考工程手册。 VDs必须选用快恢复二极管，额定电流不小于主电路器件的1/10。 尽量减小线路电感，且选用内部电感小的吸收电容。 中小容量场合，若线路电感较小，可只在直流侧设一个du/dt抑制电路。 ?对IGBT甚至可以仅并联一个吸收电容。 晶闸管在实用中一般只承受换相过电压，没有关断过电压，关断时也没有较大的du/dt，一般采用RC吸收电路即可。 缓冲电路（Snubber Circuit） 2.7.3 电力电子器件器件的串联和并联使用 2.8.1 晶闸管的串联 2.8.2 晶闸管的并联 2.8.3 电力MOSFET和IGBT并联运行的特点 2.8 晶闸管的串联 目的：当晶闸管额定电压小于要求时，可以串联。 问题：理想串联希望器件分压相等，但因特性差异，使器件电压分配不均匀。 静态不均压：串联的器件流过的漏电流相同，但因静态伏安特性的分散性，各器件分压不等。 承受电压高的器件首先达到转折电压而导通，使另一个器件承担全部电压也导通，失去控制作用。 反向时，可能使其中一个器件先反向击穿，另一个随之击穿。 2.8.1 静态均压措施： 选用参数和特性尽量一致的器件 采用电阻均压，Rp的阻值应比器件阻断时的正、反向电阻小得多。 图2-41　晶闸管的串联 a)　伏安特性差异　b)　串联均压措施 晶闸管的串联 2.8.1 动态不均压——由于器件动态参数和特性的差异造成的不均压。 动态均压措施： 选择动态参数和特性尽量一致的器件。 用RC并联支路作动态均压。 采用门极强脉冲触发可以显著减小器件开通时间上的差异。 晶闸管的串联 2.8.1 晶闸管的并联 目的：多个器件并联来承担较大的电流 问题：会分别因静态和动态特性参数的差异而电流分配不均匀。 ?均流措施： 挑选特性参数尽量一致的器件。 采用均流电抗器。 用门极强脉冲触发也有助于动态均流。 当需要同时串联和并联晶闸管时，通常采用先串后并的方法联接。 2.8.2 电力MOSFET和IGBT并联运行的特点 电力MOSFET并联运行的特点 Ron具有正温度系数，具有电流自动均衡的能力，容易并联。 注意选用Ron、UT、Gfs和Ciss尽量相近的器件并联。 电路走线和布局应尽量对称。 可在源极电路中串入小电感,起到均流电抗器的作用。 ??IGBT并联运行的特点 在1/2或1/3额定电流以下的区段，通态压降具有负的温度系数。 在以上的区段则具有正温度系数。 并联使用时也具有电流的自动均衡能力，易于并联。 2.8.3 MOS控制晶闸管MCT MCT（MOS Controlled Thyristor）——MOSFET与晶闸管的复合 MCT结合了二者的优点： MOSFET的高输入阻抗、低驱动功率、快速的开关过程。 晶闸管的高电压大电流、低导通压降。 一个MCT器件由数以万计的MCT元组成，每个元的组成为：一个PNPN晶闸管，一个控制该晶闸管开通的MOSFET，和一个控制该晶闸管关断的MOSFET。 MCT曾一度被认为是一种最有发展前途的电力电子器件。因此，20世纪80年代以来一度成为研究的热点。但经过十多年的努力，其关键技术问题没有大的突破，电压和电流容量都远未达到预期的数值，未能投入实际应用。 2.5.1 静电感应晶体管SIT SIT（Static Induction Transistor）——1970年，结型场效应晶体管 小功率SIT器件的横向导电结构改为垂直导电结构，即可制成大功率的SIT器件。 多子导电的器件，工作频率与电力MOSFET相当，甚至更高，功率容量更大，因而适用于高频大功率场合。 在雷达通信设备、超声波功率放大、脉冲功率放大和高频感应加热等领域获得应用。 缺点： 栅极不加信号时导通，加负偏压时关断，称为正常导通型器件，使用不太方便。 通态电阻较大，通态损耗也大，因而还未在大多数电力电子设备中得到广泛应用。 2.5.2 静电感应晶闸管SITH SITH（Static Induction Thyristor）——1972年，又被称为场控晶闸管（Field Controlled Thyristor——FCT）。 ?比SIT多了一个具有少子注入功能的PN结， SITH是两种载流子导电的双极型器件，具有电