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4.2.3 发光二极管 1.工作原理 发光二极管（Light Emitting Diode，LED）是利用电子-空穴对复合而产生自发辐射的发光器件。 LED的发光原理：当在PN结上加正向偏置电压时，P型中的空穴和N型中的电子向着PN结流动，受激电子会从高能级跃迁到低能级，电子损失的能量以光子形式辐射出去，即自发辐射发光。 LED的发光波长： λ（μm）= 1.24 / Eg(eV) 式中，Eg是带隙。 2. 类型 （1）面发发光二极管SLED （Surface Light Emitting Diode）。 SLED的光是从与有源层垂直的平面发出的。 SLED的发光区被限制在径向尺寸与光纤芯径相当小的有源区。 （2）边发光二极管ELED（Edge Light Emitting Diode） ELED的光是从有源层边发出的。图4-5（a）和（b）分别所示的是AlGaAs/GaAs ELED和InGaAsP/InP ELED的基本结构。 3.工作特性 （1）输出光功率 LED的输出功率跟驱动电流和电子密度有关。 P = (ηhc / eλ) I 式中，I为驱动电流, η是量子效率， h为普朗克常数， c 是光速， e为电荷， λ是光波长。 输出功率和驱动电流之间的函数关系也叫“P-I曲线” P-I曲线会随温度的变化而变化。 （2）光谱特性 LED光谱特性主要是指发光强度、光谱峰值波长和光谱的半高全宽Δλ（最大光强一半处的光谱全宽）等。 LED的谱线宽度Δλ与波长（有源层材料的带隙决定）和结的温度有关： Δλ = 3.3（kT / h）(λ2/c) 式中，T为结的绝对温度驱动电流, c是光速， k为波尔兹曼常数， h为普朗克常数。 （3）调制带宽 就是功率谱降低到最大值一半时，对应0～3dB的频率范围。 LED的调制带宽为： Δf = 1/ (2πτ) 其中τ是载流子的复合寿命。 调制带宽跟PN结的掺杂浓度和有源区的厚度有关。 （4）温度特性 LED的温度特性 式中，P0是LED的起始输出光功率， T为绝对温度。 一般来说，LED对温度的敏感性比较差，在设计电路时，不需要考虑温控电路。 4.2.4 激光器 1.基本结构 激光二极管（Laser Diode，LD，）是一种借助于受激辐射发光的半导体器件（简称为激光器）。 Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation 受激辐射的放大 LD的基本结构： 有源区（增益区）：是实现粒子数反转分布、产生光的区域。 光反馈装置：光学谐振腔，光产生振荡的区域。 频率选择元件：选择光模式的地方。 光波导：在激光器内用来引导光波。 LD结构的发展历程及方向： 1、有源区一般采用异质结结构，其经历了由同质结、单异质结、双异质结到量子阱。 目的是以较小的注入电流来获得较大的光输出。 2、谐振腔经历了法布里-珀罗腔、分布反馈腔、分布布拉格反射器到到垂直腔、短耦合腔。 目的是获得窄的光谱线宽、低噪声和波长稳定的激光。 3、条形结构经历了宽接触到条形结构的过程。 目的是减小电流发热对器件的影响。 2. 有源区典型结构 ① 同质结 PN结的P型和N型为同一材料，但是掺杂类型不同, 或掺杂类型相同，但是掺杂浓度不同的材料组成的结构。 ② 异质结 是指由带隙不同的材料构成的PN结。 异质结又可以分为：单异质结和双异质结。 3.工作原理 ① 向