电工学下教案1.docVIP

课　时　授　课　计　划 课次序号： 1 一、课　　题：14-1 半导体的导电特性14-2 PN结 14-3 二极管 二、课　　型：课堂讲授 三、目的要求：掌握PN结单向导电性、熟悉半导体二级管工作原理、特性曲线和主要参数。 四、重点、难点：半导体二级管工作原理、特性曲线。 五、教学方法及手段：以讲授为主，并加以举例；课堂进行适当提问和习题练习。 六、参考资料：教学参考书为《电路》（第四版）邱关源主编 参考网站： 七、作业：14.3.2,14.3.7 八、授课记录： 授课日期 班　　次 九、授课效果分析： 十、教学进程（教学内容、教学环节及时间分配等） 1、复习： 2、导入课题：14-1 半导体的导电特性14-2 PN结 14-3 二极管 3、教学内容： 14.1 半导体的导电特性 半导体的导电特性：热敏性、光敏性、掺杂性。 14.1.1 本征半导体的导电机理 当半导体两端加上外电压时，在半导体中将出现两部分电流 (1)自由电子作定向运动形成电子电流 (2)价电子递补空穴形成空穴电流 14.1.2 N型半导体和 P 掺入五价元素称为电子半导体或N型半导体。 掺入三价元素称为空穴半导体或 P型半导体。 无论N型或P型半导体都是中性的，对外不显电性。 14.2 PN结 14 14.2.2 P 1. PN 结加正向电压（正向偏置） PN 结加正向电压时，PN结变窄，正向电流较大，正向电阻较小，PN结处于导通状态。 2. PN 结加反向电压（反向偏置）PN 结加反向电压时，PN结变宽，反向电流较小，反向电阻较大，PN结处于截止状态 14.3 半导体二极管 14.3.1 二极管的单向导电性 1. 二极管加正向电压（正向偏置，阳极接正、阴极接负 ）时， 二极管处于正向导通状态，二极管正向电阻较小，正向电流较大。 2. 二极管加反向电压（反向偏置，阳极接负、阴极接正 ）时， 二极管处于反向截止状态，二极管反向电阻较大，反向电流很小。 3. 外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失去单向导电性。 4. 二极管的反向电流受温度的影响，温度愈高反向电流愈大。 4、课堂总结：掌握半导体二极管的单向导电特性。 5、布置作业：14.3.2,14.3.7 课　时　授　课　计　划 课次序号： 2 一、课　　题：§14-4 稳压管 §14-5 晶体管 二、课　　型：课堂讲授 三、目的要求：掌握稳压管特点、熟悉半导体三级管工作原理、特性曲线和主要参数。 四、重点、难点：半导体三级管工作原理、特性曲线。 五、教学方法及手段：以讲授为主，并加以举例；课堂进行适当提问和习题练习。 六、参考资料：教学参考书为《电路》（第四版）邱关源主编 参考网站： HYPERLINK 七、作业：14.4 八、授课记录： 授课日期 班　　次 九、授课效果分析： 十、教学进程（教学内容、教学环节及时间分配等） 1、复习： 2、导入课题：§14-4 稳压管 §14-5 晶体管§14-6 光电器件 3、教学内容： §14-4 稳压管 用特殊工艺制造的面接触型硅二极管，具有稳定电压的功能 。 伏安特性曲线与普通二极管相似，差别是反向击穿特性曲线较陡，反向击穿电压较低（普通二极管为数十伏至数百伏，一般硅稳压管为几伏至数十伏）。反向击穿可逆，工作在反向击穿区，但如果反向电流超过允许范围，会发生热击穿而损坏。 §14-5 晶体管 1晶体管的结构类型 按材料分：硅管、锗管； 按功率大小分：大、中、小功率管； 按工作频率分：高频管、低频管。 2.晶体管的电流放大作用 基本结构： 结构特点： 电流分配和放大原理 三极管放大的外部条件：发射结正偏、集电结反偏 2．结论：1）三电极电流关系 IE = IB + IC 2） IC IB ， IC ? IE 3） IC D IB 3.三极管内部载流子的运动规律 特性曲线 输入特性 输出特性 三极管只要加上合适的偏置电压使发射结处于正向偏置，集电结处于反向偏置，就能实现电流放大作用。 电流放大作用的条件：发射结正偏 可用三极管内部载流子的运动规律来解释上述结论。 晶体管的三个工作区： 放大区：在放大区，发射结处于正向偏置、集电结处于反向偏置，晶体管工作于放大状态。 饱和区：发射结处于正向偏置，集电结也处于正偏。 截止区：在截止区发射结处于反向偏置，集电结处于反向偏置，晶体管工作于截止状态。 4 主要参数 电流放大系数 1.?β 可从输出特性曲线上求出 ，小功率管β＝10~200，一般采用30~80的管子，标明β范围的色点。 2.ICBO　集电极－基极反向饱和电流，受温度影响大，小功 率硅管ICBO＜1 μ