第2章 电力电子器件53281.pptVIP

2.1 电力电子器件概述 2.2 不可控器件—电力二极管 2.3 半控型器件—晶闸管 2.4 典型全控型器件 2.5 其他新型电力电子器件 2.1 电力电子器件概述 2.2 不可控器件—电力二极管 2.3 半控型器件—晶闸管 2.4 典型全控型器件 2.5 其他新型电力电子器件 2.1.1 电力电子器件的概念和特征 2.1.2 应用电力电子器件的系统组成 2.1.3 电力电子器件的分类 2.1.1 电力电子器件的概念和特征 2.1.2 应用电力电子器件的系统组成 2.1.3 电力电子器件的分类 2.1.1 电力电子器件的概念和特征 2.1.2 应用电力电子器件的系统组成 2.1.3 电力电子器件的分类 2.1.1 电力电子器件的概念和特征 2.1.2 应用电力电子器件的系统组成 2.1.3 电力电子器件的分类 2.1 电力电子器件概述 2.2 不可控器件—电力二极管 2.3 半控型器件—晶闸管 2.4 典型全控型器件 2.5 其他新型电力电子器件 2.2.1 PN结与电力二极管的工作原理 2.2.2 电力二极管的基本特性 2.2.3 电力二极管的主要参数 2.2.4 电力二极管的主要类型 2.2.1 PN结与电力二极管的工作原理 2.2.2 电力二极管的基本特性 2.2.3 电力二极管的主要参数 2.2.4 电力二极管的主要类型 2.2.1 PN结与电力二极管的工作原理 2.2.2 电力二极管的基本特性 2.2.3 电力二极管的主要参数 2.2.4 电力二极管的主要类型 2.2.1 PN结与电力二极管的工作原理 2.2.2 电力二极管的基本特性 2.2.3 电力二极管的主要参数 2.2.4 电力二极管的主要类型 2.2.1 PN结与电力二极管的工作原理 2.2.2 电力二极管的基本特性 2.2.3 电力二极管的主要参数 2.2.4 电力二极管的主要类型 2.1 电力电子器件概述 2.2 不可控器件—电力二极管 2.3 半控型器件—晶闸管 2.4 典型全控型器件 2.5 其他新型电力电子器件 2.3.1 晶闸管的结构与工作原理 2.3.2 晶闸管的基本特性 2.3.3 晶闸管的主要参数 2.3.4 晶闸管的派生器件 2.3.1 晶闸管的结构与工作原理 2.3.2 晶闸管的基本特性 2.3.3 晶闸管的主要参数 2.3.4 晶闸管的派生器件 2.3.1 晶闸管的结构与工作原理 2.3.2 晶闸管的基本特性 2.3.3 晶闸管的主要参数 2.3.4 晶闸管的派生器件 2.3.1 晶闸管的结构与工作原理 2.3.2 晶闸管的基本特性 2.3.3 晶闸管的主要参数 2.3.4 晶闸管的派生器件 2.1 电力电子器件概述 2.2 不可控器件—电力二极管 2.3 半控型器件—晶闸管 2.4 典型全控型器件 2.5 其他新型电力电子器件 2.4.2 电力晶体管 2.4.3 电力场效应晶体管 2.4.4 绝缘栅双极晶体管 2.4.2 电力晶体管 2.4.3 电力场效应晶体管 2.4.4 绝缘栅双极晶体管 2.4.2 电力晶体管 2.4.3 电力场效应晶体管 2.4.4 绝缘栅双极晶体管 2.4.2 电力晶体管 2.4.3 电力场效应晶体管 2.4.4 绝缘栅双极晶体管 2.1 电力电子器件概述 2.2 不可控器件—电力二极管 2.3 半控型器件—晶闸管 2.4 典型全控型器件 2.5 其他新型电力电子器件 ?按垂直导电结构的差异， 分为利用 V型槽实现垂直导 电的VVMOSFET（Vertical V-groove MOSFET）和具有 垂直导电双扩散MOS结构的 DMOSFET（Vertical Double- diffused MOSFET）。 图2-20 电力MOSFET的结构和 电气图形符号 内部结构断面示意图 b) 电气图形符号 ?电力MOSFET也是多元集 成结构。 电力MOSFET的工作原理 ?截止：当漏源极间接正电压，栅极和源极间电压为零时，P 基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏，漏源极之间无电流流 过。 ?导通 √在栅极和源极之间加一正电压UGS，正电压会将其下面P区 中的空穴推开，而将P区中的少子——电子吸引到栅极下面的 P区表面。 √当UGS大于某一电压值UT时，使P型半导体反型成N型半导 体，该反型层形成N