脉冲电化学腐蚀法制备多孔硅微腔及其光学性能研究.PDF

脉冲电化学腐蚀法制备多孔硅微腔及其光学性能研究 脉冲电化学腐蚀法制备多孔硅微腔及其光学性能研究 时喜喜 李莎 韩星星 蔡林涛 摘 要 多孔硅微腔 (PSM) 是由一个中间光学活性层夹在上下两个布拉格反射镜 (DBR) 组成的“三明治”结构。多孔硅光 学微腔晶体在室温下可发射可见光，并且发光峰值非常窄。同时由于PSM的多孔性和巨大的内表面积，使得PSM的光学性 质对环境的改变有非常高的灵敏度，在传感器方面有广泛的用途。本文采用电化学阳极腐蚀法，通过改变阳极腐蚀的参数 制备了处于不同可见光波段的PSM，研究了腐蚀时间和共振波长λc的关系曲线以及热氧化处理过程对PSM的反射光谱和红 外光谱的影响。 关键词 脉冲电化学腐蚀法；多孔硅微腔；传感器；光学性能 1 引言 多孔硅制备过程中，周期性的改变电流密度， [1] 使得多孔硅层的折射率周期性的变化，就实现了 早在20世纪50年代贝尔实验室的Uhlir 在研究 硅的电化学抛光时就发现若将硅片浸泡在一定浓度 DBR。DBR双层是由 /4波长光学厚度的高/低孔隙率λ 的HF酸溶液中并通以一定电流密度的腐蚀电流，其 多层交叠而成的，相邻高低折射率层的折射率分别 表面不是被抛光，而是出现一层红色、棕色或黑色 为n 和n ，厚度为d和d 。反射谱的极大值波长由 H L H L 的膜层，这就是多孔硅 (Porous Silicon，PS)。1990 Bragg条件给出： [2] 年L. T. Canham 首次报道了多孔硅在室温下具有 2 (nd +nd)/m λ (1) H H L L Bragg 强的光致可见光发射现象后，为全硅基光电子集成 开辟了一条新的途径。 m是整数，n和d的值分别由电流密度和腐蚀时间决 定。从Bragg条件可知，通过调整电流密度和腐蚀时 然而，尽管多孔硅的发光效率相对于单晶硅提 间，Bragg波长可调到满足实际应用的任意位置。 高约四个数量级而达到3%，但相对于作为发光材料 的III-V族化合物半导体的15%发光效率仍低一个数 Bragg反射镜反射谱FWHM的谱宽δλBragg [3] 2λBragg/N，N为Bragg镜面层数。因此，δλBragg与 量级 。此外，多孔硅还存在发光谱带较宽、辐射 [4] λBragg成正比，与多孔硅高低折射率层的层数成反 复合寿命较长等问题 。多孔硅微腔(Porous Silicon Microcavity，PSM)的提出及其技术上的初步实 比。电流密度和阳极氧化时间改变导致高低折射率 [5] [6] 层的折射率n 、n ，厚度d、d发生改变，反射谱发 现，为解决上述问题提供了契机 。研究结果表明 H L H L 优化的PSM的发光强度相比PS提高约20倍，而发光 生漂移，漂移量 峰的半高宽(Full Width Half Maximum，FWHM) 则 Δλ =2(n Δd +d Δn +nΔd+dΔn