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贵金属改性TiO2纳米复合材料的制备及其在染料降解中的应用-纺织化学与染整工程专业论文.docxVIP

贵金属改性TiO2纳米复合材料的制备及其在染料降解中的应用-纺织化学与染整工程专业论文.docx

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万方数据 万方数据 贵金属改性 TiO2 纳米复合材料的制备 及其在染料降解中的应用 摘 要 半导体 TiO2 光催化剂,因其具有价格低廉、无毒性和高效的催化性能,在 印染废水治理上得到了广泛的应用。但是未经改性的半导体 TiO2 光催化剂因其 禁带宽度的限制,只能吸收紫外光,从而使得可见光催化效率低,影响了其在实 际生产中的应用。目前,提高 TiO2 可见光催化性能的研究主要集中于金属离子 掺杂、碳等无机物的修饰以及贵金属纳米粒子的负载等单一修饰改性处理,这种 处理限制了催化剂各组分间的协同增强效果。为此,本论文中预先利用 Sn2+与 TiO2 间的无机嫁接作用,对商业化德固赛 P25-TiO2 催化剂进行了表面修饰改性, 增加了 TiO2 表面官能团密度。随后,利用 Sn2+/Sn4+较低的化学还原电势原位还 原贵金属前驱体,得到均匀分散的贵金属纳米粒子和 SnOx 双功能修饰的 TiO2 光 催化剂。利用透射电镜(TEM)、X 射线粉末衍射(XRD)、N2 物理吸附、X 射 线能谱(XPS)和紫外可见漫反射(UV-Vis DRS)等一系列物理化学表征手段, 考察了三元复合光催化材料的结构和性能特点。以氙灯作为可见光源,考察了三 元复合光催化剂在可见光降解染料中的应用,探讨贵金属纳米粒子和 SnOx 双功 能修饰对 TiO2 光催化剂的催化性质的提升效果,并通过对催化剂中贵金属前驱 体的添加量的调节,获得性能优异的三元复合光催化剂。明确了各因素对改善催 化剂催化性能的作用机制,并据此提出了光催化剂的降解原理。最后考察了催化 剂实际使用过程中水源和混合染料对催化剂性能的影响。具体的研究内容如下: 1. 首先考察了 Au 纳米粒子和 SnOx 双功能修饰对 TiO2 光催化剂的提升机 制。本部分以 P25-TiO2、氯金酸、氯化亚锡等为原料,通过 Sn2+的原位还原法制 备出了三元异质结构的 TiO2/SnOx-Au 催化剂。TEM 分析表明 Au 纳米粒子均匀 分散于 TiO2 表面,UV-Vis DRS 的结果表明 Au 和 SnOx 的双功能修饰既可以提高 TiO2 在可见光的吸收效果,又可以降低 TiO2 的禁带宽度。制得的 TiO2/SnOX-Au 复合催化剂对亚甲基蓝的可见光降解效率不仅优于未经修饰的 TiO2 催化剂,同 时也高于只经 Au 或者 SnOx 修饰的 TiO2 催化剂。 2. 采用类似的 Sn2+的原位还原法,制备了三元复合 TiO2/SnOX-Ag 光催化剂。 I 利用 XPS 着重研究了费米能级较 Au 低的 Ag 纳米粒子的引入对 SnOx 物种的化 学环境的影响。通过改变 AgNO3 的添加量,得到了粒径各不相同的 Ag 纳米粒 子修饰改性复合光催化剂。结果发现 Sn 物种在 TiO2/SnOx-Ag 光催化剂中是以 SnO2 和 SnO 共存。当 Ag 的名义添加量为 2 wt%时,对应的 TiO2/SnOx-Ag 光催 化剂的可见光降解亚甲基蓝的催化性能最佳。 3. 利用优选出的最佳贵金属含量的三元异质复合材料为光催化剂,考察催 化剂在不同水源(去离子水、自来水或钱塘江水)和不同种类染料(罗丹明 B 或罗丹明 B 与亚甲基蓝的混合物)的催化降解效果。结果表明制得的贵金属纳 米粒子和 SnOx 双功能修饰的 TiO2 复合催化材料的适用性较强。同时发现制备的 光催化剂经连续 5 次循环使用后仍具有较好的光催化性能,具有良好的应用前 景。 关键词:贵金属;TiO2;锡氧化物;可见光;染料 II Synthesis and Properties of TiO2 composites Decorated by Noble Metal Nanoparticles for the Dyes Photodegradation Abstract Semiconductor-based photocatalysts have attracted growing interest in the field of dyeing wastewater treatment. Owing to its excellent chemical stability, photofunctional properties and nontoxic nature, TiO2 is considered to be one of the apt materials for the production of clean energy resources and environmental remediation. Nevertheless, the large band gap of 3.2 eV limits its use

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