51单片机原理与实践 C语言版 高卫东 第二章 单片机的组成及结构分析.pptVIP

单片机与接口技术;【学习目标】;MCS-51单片机基本结构;一个8位的 CPU;MCS-51单片机内部结构;MCS—51系列单片机内部结构框图 ;2.1 80C51系列单片机存储器结构 ;只读存储器（ROM） ① 掩膜ROM。(不能更改程序) ② 可编程的只读存储器(PROM)。(一次性写入) ③ 可改写的只读存储器EPROM。(紫外线照射擦除) ④ 可电改写只读存储器(EEPROM)。(电写入和清除);一、存储器空间分类;一、存储器空间分类;1、片内程序存储器（片内ROM） 2、片内数据存储器（片内RAM） 3、片外ROM扩展 4、片外RAM扩展 ;2.1 存储器结构;MCS-51（8051）存储结构如图所示;片内外统一编址的64KB的程序存储器地址空间 片内片外的程序存贮器在同一逻辑空间中，地址从0000H～FFFFH，共有64K字节范围 片内256B数据存储地址空间 片内数据存贮器为00H～FFH 片外64KB的数据存储器地址空间 片外???0000H～FFFFH;二、区分四个独立空间的方法;2.1.2 80C51的程序存储器（ROM） ;保留的存储单元;2.1.3 80C51的数据存储器（RAM）;（一）片内RAM地址空间;MCS-51（8051）存储结构如图所示;（二）低128字节RAM（00H~7FH）;1、工作区寄存器; 每个区有8个单元，都用R0～R7编号。 在任何时刻CPU只能使用其中一个区（当前寄存器组），即将这个区的8个单元作为工作寄存器，其他区仍是一般的RAM。具体使用哪个区，由程序状态寄存器PSW中的RS1、RS0两位的状态来决定。;2、位寻址区;表2 RAM位寻址区位地址表;3、通用数据存储区;堆栈;堆栈;SP;4、特殊功能寄存器;4、特殊功能寄存器;4、特殊功能寄存器;4、特殊功能寄存器;注：;2.1.5 几个特殊功能寄存器 1）累加器ACC 累加器ACC是最常用的专用寄存器。用A作为ACC的助记符。 用于存放第一个操作数及运算结果。 ;2）B寄存器 是特殊功能寄存器之一。 在乘法指令中，B用于存放乘数和乘积的高8位。 A×B=B（高位）A（低位） 在除法指令中用于存放除数和余数。 A÷B=（商→A，余数→B） 在其它指令中用作一般的寄存器或RAM单元。;3 ）程序状态字PSW;;;;;;堆栈;SP;部分特殊功能寄存器介绍;5、数据指针DPTR（83H，82H）：;程序计数器PC ;2.2 外部引脚功能;2．时钟引脚 XTAL1、XTAL2：晶体振荡电路反相输入端和输出端。; 3、控制信号引脚： RST、EA、ALE、PSEN;EA/Vpp（31脚）： EA：内外ROM选择端 Vpp：对80C51片内 Flash ROM固化编程时，编程电压输入端（12-21V）。;ALE/PROG（30脚）： ALE：地址锁存允许信号端。 CPU访问片外存储器时，该引脚输出信号作为锁存低8位地址的控制信号。它的负载能力为8个LS型TTL负载。 ALE接高电平，P0口上信息视为地址信息； ALE接低电平，P0口上信息视为数据信息。;PSEN（29脚）： 程序存储器允许信号输出端。 在访问片外ROM时，定时输出负脉冲作为读片外ROM的选通信号，接片外ROM 的OE端。 它的负载能力为8个LS型TTL负载。;EPROM存储器扩展电路：;数据存储器扩展电路;2.2.2 并行I/O端口;2．P3口第二功能;; 80C51芯片内部有一个高增益反相放大器，用于构成振荡器。反相放大器的输入端为XTAL1，输出端为XTAL2，两端跨接石英晶体及两个电容就可以构成稳定的自激振荡器。 电容器Ｃ１和Ｃ２通常取30 pF左右，可稳定频率并对振荡频率有微调作用。振荡脉冲频率范围为fOSC=0～24 MHz。 振荡器的频率为fOSC，振荡信号从XTAL2端输入到片内的时钟发生器上;2.3.2 CPU时序 ;设:晶体振荡器频率 fosc=6MHz, 则:振荡周期=1/fosc=1/6 μs（微秒） 因为:一个机器周期包括12个振荡周期, 所以:一个机器周期=12*(1/6) μs（微秒） = 2μs（微秒）;每条指令都由一个或几个机器周期组成。 指令周期：执行一条指令所需的时间。 每条指令由一个或若干个字节组成。有单字节指令，双字节指令，…多字节指令等。字节数少则占存储器空间少。 每条指令的指令周期都由一个或几个 机器周期