硅离子注入SOI晶片中发光研究.PDF

4 1 人 工 晶 体 学 报 第 卷 增刊 Vol． 4 1 Supplement 2012 8 JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS August ，2012 年 月 硅离子注入SOI 晶片中发光研究 ， ， ， 杨 宇 杨 杰 靳映霞 王 茺 ( ， 650091) 云南大学光电信息材料研究所 昆明 : 500 keV 1013 cm-2 3 × 1014 cm-2 28 Si ， ， 摘要 本文报道了通过 从 到 的不同剂量的 离子自注入技术 结合不同温区退火 SOI (X ，W ，R ，D ，D ，D D ) 。 ， 在 晶片中引入一系列发光中心 和 中心 研究 采用光致发光测量表征 分别研究了 4 3 2 1 、 。 ，W 275 ℃ ， 退火温度 注入剂量以及测试温度对样品光学性质的影响 研究发现 线的最佳退火温度大约为 注入剂 1013 cm-2 ;R 3 × 1013 cm-2 ， 700 ℃ ; Si ， 量为 量级 线发光强度最大时需要的注入剂量为 退火温度为 与体 晶体不同 离 SOI 275 ℃ 3 min ， 1013 cm-2 PL D D 。 子注入 晶片内仅在 的低温退火 在 小剂量样品的 谱中也观察到 和 带 本研究 1 2 结果为硅基红外光电器件的探索奠定了基础。 :SOI ; ; ; 关键词 晶片 光致发光 离子注入 退火 中图分类号: 文献标识码:A 文章编号:1000-985X (2012)S1-0270-05 Study on the Photoluminescence of Si Implanted SOI Wafer YANG Yu ，YANG Jie ，JIN Ying -xia ，WANG Chong (In