非掺杂ZnO薄膜中紫外与绿色发光中心-物理学报.PDF

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 6$ !! $$! !! ， ， ， /NO ,6$ N , !! NP0:Q0R $$! （ ） !$$$2#7$C$$!C6$ !! C$-2$ GJ4G *KL;MJG ;MMJG !$$! JE5( , *EST , ;NA , 非掺杂!# 薄膜中紫外与绿色发光中心! ）） ）） ） ） ! ! ! 林碧霞 傅竹西 贾云波 廖桂红 !）（中国科学技术大学结构分析开放实验室，合肥 #$$% ） ）（中国科学技术大学物理系，合肥 #$$% ） （ 年 月 日收到） $$! $ 用直流反应溅射方法在硅衬底上淀积了 薄膜，测量它们的光致发光（ ）光谱，观察到两个发光峰，峰值能 ’() *+ 量分别为 （紫外峰， ）和 （绿峰）样品用不同温度分别在氧气、氮气和空气中热处理后，测量了 光 # , !- ./ , #-0/ , *+ 谱中绿峰和紫外峰强度随热处理温度和气氛的变化，同时比较了用1*2+34 方法计算的’() 中几种本征缺陷的能 级位置, 根据实验和能级计算的结果，推测出’() 薄膜中的紫外峰与’() 带边激子跃迁有关，而绿色发光主要来源 于导带底到氧错位缺陷（ ）能级的跃迁，而不是通常认为的氧空位（ ）、锌填隙（ ）或锌空位（ ）、氧填 ) ! ’( ! ’( ) 5 ’( 隙（ ） )5 , 关键词： 薄膜，热处理，光致发光光谱，缺陷能级 ’() ： ， ， $% 8!66 8-$ 8-66 温度、不同气氛中热处理后*+ 光谱的变化规律，根 ! 引 言 据不同本征缺陷与热处理条件关系的理论分析，并 比较了对各种本征缺陷能级的计算结果，最终推测 自从 !778 年发现 ’() 薄膜的紫外光发射后， 出非故意掺杂’() 薄膜中组成紫外和绿色发光中 ［，］ ’() 光电子薄膜的研究受到越来越广泛的重视! , 心的能级, ’() 是一种自激活的具有六方纤锌矿结构的晶体， 晶格常数为 9 $ , #7(:，# 9 $ , 6$8(: , ，室温下 实 验 的禁带宽度为# , #% 0/，尤其是它