硅基以ZnO为缓冲层制备GaN薄膜和一维纳米结构的研究-微电子学与固体电子学专业论文.docxVIP

山东师范大学硕士学位论文在Si衬底上利用脉冲激光沉积法和磁控溅射法制备ZnO薄膜，这两种方法生 山东师范大学硕士学位论文 在Si衬底上利用脉冲激光沉积法和磁控溅射法制备ZnO薄膜，这两种方法生 长的Z．nO作为缓冲层。然后再利用磁控溅射法在缓冲层上溅射一层较厚的c,az03 薄膜(约为500nm)。研究表明：不同的ZnO层退火温度、氨化温度对Ga203／ZnO 薄膜合成GaN纳米结构都有很大影响，合成的一维纳米结构为六方纤锌矿结构的 单晶GaN，表现为形貌各异的纳米线、纳米棒、纳米颗粒、簇状结构等。 3．GaN光学特性 室温下，用波长为298nm光激发样品表面，出现373nm、436nm、474nm三 处发光峰，改变实验条件发光蜂位置都没有随之发生移动，只是发光强度发生了 变化。对于中心位于373nm发光峰对应于六方GaN纳米结构的近带边发射；由于 合成GaN纳米结构对利用了ZnO缓冲层，在氨化过程中Zn原子将会扩散到GaN 中，所以对于位于436nm处的发光峰可能归因于Zn杂质能级的跃迁；也可能是 由于C杂质取代N原子造成的深受主能级到导带的跃迁所致。位于474nm处的发 光峰，是由于在氨化过程中和GaN重组过程中产生的缺陷或表面态所致。 4．GaN生长机制的探索 首先在硅衬底上生长ZnO缓冲层，然后退火，得到较高质量的缓冲层，这将 有利于随后溅射生长平整致密C,a203薄膜；另一方面，在高温氨化的过程中，ZnO 缓冲层将要挥发。虽然在氨化过程中Zn0会挥发，这不可避免她产生缺陷和位错， 形成了～些自组装纳米尺寸微孔，但在形成GaN的过程中仍能起到缓冲层的作用， 能为随后的GaN纳米结构晶核的形成提供了模板和生长点。高温下氨气分解成 NH2、NI-I、I-12、N2等产物，固态Ga203与H2反应生成中间产物Ga20，随后与 体系中氨气反应首先得到GaN晶核，这些晶核落在合适的生长位置上，在作为下 一个晶核生长的依托点，在特定的条件下(该实验条件)继续长成GaN微晶，当 微晶的生长方向沿着相同的方向生长，就形成了单晶GaN纳米线、纳米棒、纳米 颗粒。一维GaN纳米结构的生长机制可归结为气一固(VS)生长机制。 5．较高质量的GaN的制备 在Si衬底上利用磁控溅射系统制备GaN薄膜，结果表明：缓冲层的厚度对GaN 影响很大，缓冲层太薄，则不足以完全疏解硅衬底和氮化镓外延层之间因晶格常 数和熟膨胀系数失配引起的应变，不利于GaN生长，从而使薄膜的晶化质量和表 面形貌都不是很好；缓冲层太厚，则不能为GaN薄膜的提供表面平滑的生长面， 从而也降低了薄膜的晶化质量和表面形貌。分析实验结果，生长CraN薄膜的最佳 Ⅱ 山东师范大学硕士学位论文缓冲层厚度为15min。 山东师范大学硕士学位论文 缓冲层厚度为15min。 关键词：一维CraN纳米结构；ZnO缓冲层；Ga_N薄膜；磁控溅射；脉冲激光沉积法。 分类号：TN304 Ill 山东师范大学硕士学位论文Investigation 山东师范大学硕士学位论文 Investigation of fabrication and synthesis of GaN films and one—dimensional nanostructures on ZnO films as a buffer layer on Si substrates Abs仃act C_raN based on m-v semiconductors with wide-band gap．thermal stability, chemical stability,wave band from visible light t0 ultraviolet ught,have atm删 intensive interest due to their promising applications in the domain of optoelcctronies and microelec缸onics．Until recently,the majority of the CraN based devices has been fabricated on sapphire substrams．However,because sapphire itself is very expensive, insulated and hard to incise，low thermal conductivity as well as difficult technics and high cost for devices．it is disadvantagcons to fabricate high power electronics devices