集成电路设计基础期末考试复习题.docVIP

. .. 全部复习题均可在教材上找到参考答案！！！ 摩尔定律的内容：单位面积芯片上所能容纳的器件数量，每12-18个月翻一番。 摩尔定律得以保持的途径：特征尺寸不断缩小、增大芯片面积及单元结构的改进。 图形的加工是通过光刻和刻蚀工艺完成的。 在场区中，防止出现寄生沟道的措施：足够厚的场氧化层、场区注硼、合理的版图。 形成SOI材料的三种主要技术：注氧隔离技术、键合减薄技术、智能剥离技术。 实际的多路器和逆多路器中输入和输出一般是多位信息，如果对m个n位数据进行选择，则需要n位m选一多路器。 在氧化层上形成所需要的图形的步骤：甩胶、曝光、显影、刻蚀、去胶。 版图设计规则可以用两种形式给出：微米规则和λ规则。 常规CMOS结构的闩锁效应严重地影响电路的可靠性，解决闩锁效应最有效的办法是开发多晶硅技术。 要实现四选一多路器，应该用2位二进制变量组成4个控制信号，控制4个数据的选择。 摩尔分析了集成电路迅速发展的原因，他指出集成度的提高主要是三方面的贡献：特征尺寸不断缩小、芯片面积不断增大、器件和电路结构的不断改进。 缩小特征尺寸的目的：使集成电路继续遵循摩尔定律提高集成密度；提高集成度可以使电子设备体积更小、速度更高、功耗更低；降低单位功能电路的成本，提高产品的性能/价格比，使产品更具竞争力。 N阱CMOS主要工艺步骤：衬底硅片的选择→制作n阱→场区氧化→制作硅栅→形成源、漏区→形成金