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LED封装的100多种结构形式区分大全 LED封装技术的要素有三点：封装结构设计、选用合适封装材料和工艺水平。 目前LED封装结构形式有100多种主要的封装类型有Lamp系列40多种、SMD（ chip LED和TOP LED）系列30多种、COB系列30多种、PLCC、大功率封装、光集成封装和 模块化封装等，封装技术的发展要紧跟和满足LED应用产品发展的需要。 LED封装技术的基本内容 LED封装技术的基本要求是：提高出光效率、高光色性能及器件可靠性。 （1） 提高出光效率 LED封装的出光效率一般可达80?90%。 选用透明度更好的封装材料：透明度^95% （1mm厚度），折射率大于1.5等。 选用高激发效率、高显性的荧光粉，颗粒大小适当。 装片基板（反射杯）要有高反射率，出光率高的光学设计外形。 选用合适的封装工艺，特别是涂覆工艺。 （2） 高光色性能 LED主要的光色技术参数有：高度、眩光、色温、显色性、色容差、光闪烁等。 显色指数CRI70（室外）、280（室外）、290（美术馆等）。 色容差S3 SDCM5 SDCM （全寿命期间） 封装上要采用多基色组合来实现，重点改善LED辐射的光谱量分布SPD ,向太阳光的 光谱量分布靠近。要重视量子点荧光粉的开发和应用，来实现更好的光色质量。 (3 ) LED器件可靠性 LED可靠性包含在不同条件下LED器件性能变化及各种失效模式机理(LED封装材料 退化、综合应力的影响等)，这是主要提到可靠性的表征值一寿命，目前LED器件寿命一 般为3?5小时，可达5-10万小时。 选用合适的封装材料：结合力要大、应力小、匹配好、气密性好、耐温、耐湿(低吸 水性)、抗紫外光等。 封装散热材料：高导热率和高导电率的基板，高导热率、高导电率和高强度的固晶材 料，应力要小。 合适的封装工艺：装片、压焊、封装等结合力强，应力要小，结合要匹配。 LED光集成封装技术 LED光集成封装结构现有30多种类型，正逐步走向系统集成封装，是未来封装技术的 发展方向。 (1) COB集成封装 COB集成封装现有MCOB、COMB, MOFB、MLCOB等30多种封装结构形式，COB 封雜术曰趋成熟，其优点是成本低。COB封装现占LED光源约40%左右市场，光效达 160-178 lm/w ,热阻可达2°C/w , COB封装是近期LED封装发展的趋势。 (2 ) LED晶园级封装 晶园级封装从外延做成led器件只要一次划片，是光源需求的多系统集成封 装形式，一般衬底采用硅材料，无需固晶和压焊，并点胶成型，形成系统集成封装，其优点 是可靠性好、成本低，是封装技术发展方向之一。 C0F集成封装 COF集成封装是在柔性基板上大面积组装中功率LED芯片，它具有高导热、薄层柔性、 成本低、出光均匀、高光效、可弯曲的面光源等优点，可提供线光源、面光源和三维光源的 各种LED产品，也可满足LED现代照明、个性化照明要求，也可作为通用型的封装组件, 市场前景看好。 LED模块化集成封装 模块化集成封装一般指将LED芯片、驱动电源、控制部分(含IP地址)、零件等进行 系统集成封装，统称为LED模块，具有节约材料、降低成本、可进行标准化生产、维护方 便等很多优点，是LED封装技术发展的方向。 覆晶封装技术 覆晶封装技术是由芯片、衬底、凸块形成了一个空间，这样封装出来的芯片具有体积小、 性能高、连线短等优点，采用陶瓷基板、覆晶芯片、共晶工艺、直接压合等来达到高功率照 明性能要求。 用金锡合金将芯片压合在基板上，替代以往的银胶工艺，直接压合替代过去回流 焊，具有优良的导电效果和导热面积。该封装技术是大功率LED封装的重要发展趋势。 (6)免封装芯片技术 免封装技术是一个技术的整合，采用倒装芯片，不用固晶胶、金线和支架是半导体封装 技术70种工艺形成中的一种。 PFC免封装芯片产品的光效可提升至200lm/w ,发光角度大于300度的超广角全周光 设计，不要使用二次光学透镜，将减少光效的耗损与降低成本，但要投入昂贵的设备。 PFC新产品主打LED照明市场，特别是应用在蜡烛灯上，不仅可以模拟钨丝灯的造型， 同时可以突破散热体积的限制。 (7 ) LED其他封装结构形式 EMC封装结构：是嵌入式集成封装形式(Embedded LED Chip )不会直接看到LED 光源。 EMC封装技术：(Epoxy Molding Compound )以环氧塑封料为支架的封装技术， 具有高耐热、高集成度、抗UV、体积小等优点，但气密性差些，现已批量生产。 COG封装：(Chip On Glass )将LED芯片放在玻璃基板上进行封装。 QFN封装技术：小间距显示屏象素单元小于或等于P.1时，所采用的封装形式，将 替代PLCC结构，市场前景看好。 3D封