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7.5 热释光和光释光 半导体中的杂质和缺陷，在带隙中形成局域能级。如上一节讨论的，它们能够对带间复合进行某种程度上的调制。本小节要讨论的是某些较深，且为亚稳态的局域能级，在一定温度范围内处在这种能级上的载子可以长期稳定地处在这样的状态。这意味著这类陷阱将成为储存激发信息（电子或空穴）的场所。如果对材料进行某种激励，例如加热或光照，陷阱中俘获的电子或空穴可以被重新释放出来，并复合发光。对于已经储存了电子（或空穴）的材料，借助于加热使陷阱中的电子（或空穴）获释并复合发光，被称为热释光(简记为TL)，或热激励发光(TSL)；借助于光的激使陷阱中的电子（或空穴）获释并复合发光，被称为光释光或光激励发光(OSL)。 图7.5-1热释光和光释光示意图 图7.5-1热释光和光释光示意图 图7.5-1给出了完整的TSL和OSL过程的示意图。其中(a）描述了激发过程，材料吸收外界的光能量，电子被激发到导带，并被陷阱T俘获，同时价带中的空穴被发光中心L俘获。这种状况也常被称为电子陷阱被填充,发光中心被电离；(b) 显示了发光中心和电子陷阱上积累了一定量的空穴和电子（常称之为光和），它们与激发的历史有关；(c)描述了激励过程：在加热或光照的刺激下，电子从陷阱中被释放到导带，然后与发光中心上的空穴复合发光，形成热释光或光释光。可以看出，释光现象涉及的跃迁元过程就是前面讨论过的两类过程：由电声