第1讲_绪论_半导体基础知识_二极管.ppt

清华大学华成英hchya@tsinghua.edu.cn 模拟电子技术基础 本课程是入门性质的技术基础课 一、电子技术的发展 47年 贝尔实验室制成第一只晶体管 58年 集成电路 69年 大规模集成电路 75年 超大规模集成电路 二、模拟电路 模拟量：连续性，大多数物理量，如温度、压力、流量、液面……均为模拟量。 数字量：离散性 模拟电路：对模拟量进行处理的电路，最基本的处理是放大。 放大：输入为小信号，有源元件控制电源使负载获得大信号，并保持线性关系。 有源元件：能够控制能量的元件。 三、课程目的 1. 掌握基本概念、基本电路、基本分析方法、基本实验技能 2. 具有能够继续深入学习和接受电子技术新发展的能力，以及将所学知识用于本专业的能力。 五、学习方法 1. 入门阶段应以听课为线索； 2. 建立工程的观念、系统的观念、科学进步的观念和实践的观念； 3. 特别注意电路原理在电子电路分析中的应用。 第一章 半导体二极管和晶体三极管 教学基本要求： 掌握二极管和晶体管的外特性和主要参数 第一章 半导体二极管和晶体管§1.1 半导体基本知识一、本征半导体：纯净，晶体 二、杂质半导体 三、PN结的形成及其单向导电性 §1.2 晶体二极管 一、组成 ：将PN结封装，引出两个电极，就构成二极管。 从二极管的伏安特性可以反映出：  1、单向导电性 三、二极管的等效电路1、将伏安特性折线化 四、二极管的主要参数 最大整流电流IF：最大平均值 最大反向工作电压UR：最大瞬时值 反向电流 IR：即IS 最高工作频率fM：因PN结有电容效应 * 第一片集成电路只有4个晶体管，而97年一片集成电路上有40亿个晶体管。科学家预测集成度按10倍/6年的速度还将继续到2015或2020年，将达到饱和。 1947年12月23日 第一个晶体管 NPN Ge晶体管 W. Schokley J. Bardeen W. Brattain 获得1956年Nobel物理奖 1958年第一块集成电路：TI公司的Kilby，12个器件，Ge晶片12 获得2000年Nobel物理奖 硅单晶片与加工好的硅片 四、考查方法 1. 会看：定性分析 2. 会算：定量计算 3. 会选：电路形式、器件、参数 4. 会调：测试方法、故障诊断、仪器选用、EDA 六、考试方法 考试 共价键 载流子 两种载流子参与导电，导电性很差，且随温度升高而增强。 绝对温度0K时不导电。 N型半导体 P型半导体 多数载流子 磷（P） 硼（B） 杂质半导体主要靠多数载流子导电。掺入杂质越多，多子浓度越高，导电性越强，实现导电性可控。 因浓度差而产生的运动称为扩散运动。 因电场作用所产生的运动称为漂移运动。 参与扩散运动和漂移运动的载流子数目相同，达到动态平衡，就形成了PN结。 扩散运动 漂移运动 PN结加正向电压导通： 耗尽层变窄，扩散运动加剧，由于外电源的作用，形成扩散电流，PN结处于导通状态。 PN结加反向电压截止： 耗尽层变宽，阻止扩散运动，有利于漂移运动，形成漂移电流。由于电流很小，故可近似认为其截止。 几十μA 0.1~0.3V 0.1V 锗Ge 1μA以下 0.5~0.8V 0.5V 硅Si 反向饱和电流 导通 电压 开启 电压 材料 二、伏安特性 2、伏安特性受温度影响 T（℃）↑→在电流不变情况下管压降u↓ →反向饱和电流IS↑，U(BR) ↓ T（℃）↑→正向特性左移，反向特性下移 理想 二极管 近似分析中最常用 2、微变等效电路 Q越高，rD越小。 在一直流电压和电流的基础上的低频小信号下的等效电路。 结电容为扩散电容与势垒电容之和。 扩散路程中电荷的积累与释放 空间电荷区宽窄的变化有电荷的积累与释放 *