4、电子元器件的识别与使用.pptVIP

常用元器件介绍 湿敏电阻 四色环电阻色码识别表  命名方法: 数字表示 汉语拼音表示 汉语拼音 数字表示序号 汉语拼音 电极数目 材料和特性 表示器件类 表示规格号 1 2 3 4 5 例如:锗普通二极管 硅NPN型高频小功率三极管 2AP9A 3DG110A 第一部分 意义 第二部分 意义 第三部分 意义 2 二极管 A N型 锗材料 P 普通管 B P型 锗材料 W 稳压管 C N型 硅材料 Z 整流管 D P型 硅材料  二极管的重要参数与选用: 最大整流电流IF 平时使用时，不能超过此值，可能烧坏管； 最高反向工作电压VRM 指允许加在二极管的反向电压的最大值（VMAX），为全起见，此值约为击穿电压的一半； 反向电流IR； 最高工作频率fM 结电容愈大，fM愈低，使管的单向导电性愈差; 直流电阻RO; 交流电阻Rd. 注意:耐高温时选用硅管  晶体三极管：由两个做在一起的PN结加上相应 的引出电极引线及封装组成。 三极管分类：硅三极管和锗三极管。 按结构分为:点接触型和面接触型; 按生产工艺分:合金型.扩散型.台面型.平面型 依工作频率分：低频三极管.高频三极管.开关三极管 依工作功率分:小功率三极管.中功率三极管.大功率三极管 晶体三极管:  三极管 大功率三极管 贴片三极管  晶体三极管丝印  命名方法: 数字表示 汉语拼音表示 汉语拼音 数字表示序号 汉语拼音 电极数目 材料和特性 表示器件类 表示规格号 1 2 3 4 5 第一部分 意义 第二部分 意义 第三部分 意义 3 三极管 A PNP 锗材料 V 光电管 B NPN 锗材料 V 光电管 C PNP 硅材料 FG 发光管 D NPN 硅材料 FG 发光管 E 化合物材料 G 高频小功率 A 高频大功率  截止状态 发射结零偏或反偏集电结反偏 放大状态 反射结正偏，集电结反偏 饱和状态 发射结正偏，集电结正偏 三极管的工作状态:  须保证三极管工作在安全区，即应使工作时的Ic＜Icm Pc＜Pcm Uce＜U(BR)CEO截止状态 输入频率 根据电路特点选用高中低频率管子 反向击穿电压UR 工作温度 工作温度变化大要选用硅管、大功率管要注意散热 同型号管优先选用反向电流小的，而且β值稍大的（几十——一百左右） 三极管的选管原则:  小功率三极管的β值色点法 色点 红 黄 绿 蓝 白 不标点 β范围 20~30 30~60 60~100 100~150 150~200 ＞200 1.NPN型晶体管判断基极 可以把晶体三极管看成两个二极管，当将正表笔（红色）接某一管脚，负表笔（黑色）分别接另外两管脚，测量两个阻值。如测得的阻值均较小，且为1KΩ左右时，红表笔所接管脚即为晶体管基极。若两阻值一大一小或都大，将红表笔另接一脚再试，直到两个阻值均较小为止。 晶体三极管的简单判断方法 2. 晶体管判断集电极 利用晶体管正向电流放大系数比反向电流放大系数大的原理可确定集电极。用手将万用表两表笔分别接基极以外两电极，用嘴含住基板，利用人体电阻实现偏置，测读万用表指示值。再将两表笔对调同样测读，比较两次读数，对PNP管，偏转角大的一次中红表笔所接的为集电极，对NPN管，偏转角大的一次中黑表笔所接的即为集电极。 晶体三极管的简单判断方法 3.高频管和低频管的判断 低频管的反向电流放大系数比正向电流放大系数小的不十分多，而高频管则小的很多。因此在测反向电流放大系数时，若万用表能看了偏转即为低频管，高频管基本上不偏转。4.共发射极电流放大系数β 如果在上面方法中在三极管基板和集电极间接上100KΩ电阻，测反向电阻时，指针将发生偏转，但转角越大，说明β越大。5.晶体管稳定性能 在测I的同是时，用手捏住管子外壳，由于受人体温度的影响，反向电阻将会开始减少。如果指针偏转速度很快，或有很大的摆动，都说明晶体管稳定性差。  晶体三极管的简单判断方法 1.电流放大2.开关作用 晶体三极管的作用： 晶體內由一片晶片組成﹐它是振蕩電路的振源﹐沒有極性﹐外形如圖﹕有兩個腳﹐外殼用金屬封裝﹐以保護里面的晶片,在电路上一般用Y表示. 晶体: 直接表示法 振荡频率直接用数字表示,如:32763表示频率f=32.763kHz,有时还在外壳上打上厂家的名称,产品的生产日期等信息. 晶体的标识方法: 与晶体相比﹐晶振的內部除了晶片外﹐还有电