DS12887时钟芯片及其在LED中的应用DS12887是美国达接斯半导体.DOCVIP

DS12887时钟芯片及其在LED中的应用 DS12887是美国达接斯半导体公司（Dallas）最新推出的串行接口实时时钟芯片，采用CMOS技术制成，具有内部晶振和时钟芯片备份锂电池，同时它与目前IBM AT计算机常用的时钟芯片MC146818B和DS1287管脚兼容，可直接替换。它所提供的世纪字节在位置32h，世纪寄存器32h到2000年1月1日将从 采用DS12887芯片设计的时钟电路无需任何外围电路和器件，并具有良好的微机接口。DS12887芯片具有微功耗，外围接口简单，精度高，工作稳定可靠等优点，可广泛用于各种需要较高精度的实时时钟系统中。 ITO芯片在LED中的应用 为了提高LED芯片的出光效率，人们想了许多办法。比如，当前市场上出现了许多亮度较高的ITO芯片的led，GaN基白光LED中如果用ITO替代Ni/Au作为P型电极芯片的亮度要比采用通用电极的芯片高20％－30％。 ITO是英文Indium Tin Oxides的缩写，意思是「氧化铟锡」。与其它透明的半导体导电薄膜相比，ITO具有良好的化学稳定性和热稳定性。对衬底具有良好的附着性和图形加工特性。 ITO为一种N型氧化物半导体，作为纳米铟锡金属氧化物，具有很好的导电性和透明性，可以切断对人体有害的电子辐射，紫外线及远红外线。因此，喷涂在玻璃，塑料及电子显示屏上后，在增强导电性和透明性的同时切断对人体有害的电子辐射及紫外、红外。ITO透明导电膜是平面显示器上重要之组件，其特性会与镀膜制程中的参数及材料有密切的关系。 在众多可作为透明电极的材料中，ITO(Indium Tin Oxide)是被最广泛应用的一种，ITO薄膜即铟锡氧化物半导体透明导电膜,通常有两个性能指针:电阻率和透光率。主要是由于ITO可同时具有低电阻率及高光穿透率的特性，符合了导电性及透光性良好的要求。在氧化物导电膜中，以掺Sn的In2O3(ITO)膜的透过率最高和导电性能最好，而且容易在酸液中蚀刻出细微的图形。 我们如果来看其穿透率，其透过率已达90%以上，ITO的透过率和阻值分别由In2O3与Sn2O3之比例来控制，通常比例是为Sn2O3:In2O3=1:9。 广泛应用在各种领域的4元系AlGaInP红光LED芯片 为提高发光效率，要求可以精密控制经过优化设计的复杂多膜层长晶技术，虽然提高发光层的结晶质量，涉及量子井效率提升，不过基本上可以降低发光层不纯物与结晶缺陷技术，以及异质接合界面等高度磊晶制作技术，一直是研究的焦点。 最近几年AlGaInP LED芯片的内部量子效率，随着设计、加工技术的改良，已经达到实用化水平，特别是将光线从LED片内部取至外部的取光技术，更是突飞猛进。由于LED的取光技术涉及芯片本身的光吸收与内部反射特性，因此接着要依序介绍：（a）光吸收；（b）内部反射等影响AlGaInP LED芯片的取光效率的技术动向。 AlGaInP是在格子整合的GaAs单结晶基板表面，利用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）技术制作磊晶。由于GaAs基板对可视光呈不透明状，因此一般泛用AlGaInP LED芯片的断面结构。利用此技术降低光吸收的高辉度LED芯片，相较于传统泛用LED芯片，它可以实现3倍以上的高辉度化。芯片内部的光线反射特性，根据光学领域有名的“Snell法则”可知，如果满足折射率相异界面发生的全反射条件时，光线会在芯片内部反射无法取至外部。 发光二极管具备低消费电力与长寿命特征，长久以来它的发展动向一直备受全球高度期待，一般认为未来发光二极管可望成为次世代省能源照明光源。96年日亚化学的中村教授开发蓝光LED芯片，白光要求的R、G、B三种光源总算全步到齐，从此揭开白光半导体发光组件新纪元。 高度优化的LED照明芯片组 NCL30051是一款专用LED电源集成电路(IC)，能够为降压直流-直流(DC-DC)转换器/LED驱动器(如NCL30160)提供恒定电压。这器件集成了一个临界导电模式(CrM) PFC控制器及一个半桥谐振控制器，并内置600伏(V)驱动器，针对离线电源应用进行了优化，具备了所有实现高能效、小外形因数设计所需的特性。NCL30051的半桥段采用固定频率工作。这器件通过调节PFC段的输出电压来稳压，且集成了反馈环路开路保护，再加PFC过压和欠压检测机制，以及可以最高设定为75千赫兹(kHz)的可调节频率振荡器。 NCL30160是一款用于大功率LED的开关稳压器，采用基于NCL30051的电源所提供的恒定电压去降低电压，从而为LED串提供恒定电流。通过利用仅55毫欧(m?)的低导通阻抗内部MOSFET及以100%占空比工作的能力，能够提供能效高达98%的方案。这恒流器件以6.3 V至40 V的输入电压范围工作，是工业及汽车应用的极佳方案。最高1.4兆赫兹(