第4讲 模拟电子电路.pptVIP

第四讲模拟电子电路 第四讲 模拟电子电路 4.1 常用电子器件 4.2 晶体管放大电路 4.3 集成运算放大器电路 4.4 集成功率放大电路 4.5 波形发生电路 4.1 常用电子器件 4.1.1 晶体二极管 4.1.2 双极型晶体管 4.1.3 场效应晶体管 4.1.4 光电器件 4.1.1 晶体二极管 本征半导体完全纯净的具有晶体结构的半导体称为本征半导体。它具有共价键结构。 N型半导体和P型半导体 N型半导体 在硅或锗中掺入少量的五价元素，如磷或砷、锑，则形成N型半导体。 N型半导体和P型半导体 P型半导体 在硅或锗中掺入三价元素，如硼或铝、镓，则形成P型半导体。 PN结 用专门的制造工艺在同一块半导体单晶上，形成P型半导体区域和N型半导体区域，在这两个区域的交界处就形成一个PN结 。 PN结具有单向导电性 二极管的结构与符号 几种二极管外观图 二极管的伏安特性 二极管的主要参数 最大整流电流IOM 最大反向工作电压UDR 一般取 反向电流IDR 稳压二极管 稳压二极管主要参数 稳定电压UZ 稳定电流IZ 动态电阻rZ rz = △UZ / △IZ 电压温度系数αUZ 一般情况:高于6V的αUZ 为负,低于6V的αUZ为正。 最大允许耗散功率PZM 4.1.2 双极型晶体管 1. 基本结构、符号 2. 电流分配与放大作用 3. 特性曲线 4. 主要参数 5. 小信号模型 1. 基本结构、符号 2. 电流分配与放大作用 3. 特性曲线 晶体管输出特性曲线分三个工作区 4. 主要参数 电流放大系数β 极间反向电流 集电极、基极反向饱和电流ICBO 穿透电流ICEO 5. 小信号模型 在小信号情况下，工作点附近的输入特性以直线取代 输出特性只受ib控制，而与uce大小无关 4.1.3 场效应晶体管 场效应晶体管是利用电场效应来控制电流的一种半导体器件，绝缘栅型场效应管的应用最为广泛，这种场效应管又称为金属－氧化物－半导体场效应晶体管（MOS）。 按其导电类型可将场效应晶体管分为N沟道和P沟道两种，按其导电沟道的形成过程可分为耗尽型和增强型两种。 1.绝缘栅型场效应管的结构和符号 3. 场效应管主要参数 夹断电压UGS(off)：是耗尽型场效应管当ID为一微小电流时的栅源电压。 开启电压UGS(th)：是增强型场效应管当漏源之间出现导电沟道时的栅源电压。 栅源直流输入电阻RGS：栅源电压和栅极电流的比值。绝缘栅型一般109Ω 低频跨导gm：在UDS为某一固定值时，漏极电流的微小变化和相应的栅源输入电压变化量之比。 极限参数 最大漏极电流IDM：管子工作时允许的最大漏极电流 最大漏源击穿电压U(BR)DS:漏极和源极之间的击穿电压。 最大耗散功率PDM ：管子最高温升决定的参数 4.1.5 光电器件 1. 发光二极管 2. 光敏二极管 3. 光敏晶体管 4. 光电耦合器 1. 发光二极管 发光二极管是一种能将电能转换成光能的器件，简称LED 发光二极管的PN结多采用磷（Ｐ）砷（As）化镓（Ga）制成，根据所用材料不同，能发出不同颜色的光 发光二极管也具有单向导电性，但其正向工作电压要高于普通二极管，通常在1.4V以上 发光二极管的外形及符号 发光二极管具有寿命长、抗冲击和抗振动性能好、可靠性高等优点，应用十分广泛，其外形众多 2. 光敏二极管 光敏二极管是一种将光能转换成电流的器件，其PN结封装在具 有透明聚光窗的管壳 内。下图为光敏二极 管实物 光敏二极管结构与符号 光敏二极管伏安特性 光敏二极管使用时要反向接入电路中，即正极接电源负极，负极接电源正极。 3. 光敏晶体管 光敏三极管和普通三极管的结构相类似。不同之处是光敏三极管必须有一个对光敏感的PN结作为感光面，一般用集电结作为受光结，因此，光敏三极管实质上是一种相当于在基极和集电极之间接有光敏二极管的普通三极管。其结构 及符号如下图所示。 光敏三极管等效电路及符号 放大原理与特性曲线 入射光子形成光生电压，产生光生电流，由基极进入发射极，从而在集电极回路中得到一个放大了β倍的电流。因此，光敏三极管是一种相当干将基极、集电极光敏二极管的电流加以放大的普通晶体管。其特性曲线如图所示 *4.光电耦合器 光电耦合器是把发光二极管和光敏二极管或光敏晶体管合二为一的器件，输入端接收电信号，中间以光耦合的形式控制输出端的电信号。由于输入输出没有电气的直接联系，故又称为光电隔离器。 光电耦合器的优点及应用 光电耦合器因输入和输出相互绝缘，可以承受很高的电压；同时还具有抗干扰能力极强、响应速度快等有点。因此广泛用于信号隔离转换、脉冲系统的电平匹配、数模转换和计算机接口等