Ch 4 纳米电子学简介N.pptVIP

Chapter 4 纳电子学基础 本章提要： 本章主要涉及纳电子学这门新兴学科的入门知识，讲述了纳电子学的基本概念及其器件应用，为以后进一步的学习打下基础。涉及的内容比较笼统，大家的目标主要是了解。 纳电子学简介 纳米电子学(也常称为“纳电子学”)是纳米科技的重要分支之一。其主要目标是研究并且制造超小尺寸、低功耗的电子器件及其组成系统。 由于纳米电子学研究的对象(器件、信号、功率、能量等)处于纳米尺度。而电子在这个尺度下其行为将明显不同于在传统电子器件中的运行规律，即必须考虑电子的“量子效应”。也正是因为这些量子效应工作的量子器件，才使得人们可以开发出性能远远优于现在电子器件的新一代产品，带来第三次的电子学革命。 信息技术发展的趋势 ?当前信息技术不断进步主要归功于低价格、高速度、高密度和高可靠的信息表述和处理方式的进步 ?计算机技术取得成功的关键是固体电子器件小型化和集成度的持续不断提高 ?先进的多媒体技术和社会对信息处理的需求都要求进一步减小芯片的器件尺寸 发展趋势 Moore定律 经典纳米电子学的困难 MOS器件进入纳米尺度遇到： 物理问题 技术上的困难 如何面对技术发展： –克服困难、解决问题，维持IC进一步小型化——了解问题和困难的实质，研究解决方案——经典纳米电子学的核心问题 –应对即将到来的经典电子学的极限—问题和困难最终会终结经典电子学的寿命—为下一代电子学作技术准备—量子纳米电子学 经典纳米电子学 物理问题 物理效应 –量子效应 ?量子化效应 ?隧穿效应 ?干涉效应 –介观效应 ?弹道输运 ?电导涨落 ?单电子现象 ?散粒噪声 经典纳米电子学 技术困难 阻碍半导体器件进一步缩小，集成度进一步提高的具体的技术因素： –强电场 –热耗散 –材料非均匀性的影响 –氧化层厚度减少和非均匀性 –工艺精度和制造价格 –…… 强电场 对于尺度非常小的器件，在短距离内加偏置电压，器件中会产生很强的电场。 载流子在强电场加速下，并通过碰撞，使大量电子具有很高的能量，会出现所谓载流子热化现象。 具有很高的能量的电子跑出半导体，引起“雪崩击穿”，电流急剧增加并且器件受到破坏。 这个问题在纳米尺度半导体器件中会很严重 热耗散 随着器件尺寸缩小和集成电路密度提高，散热问题会越来越严重 由于过热会引起电路失效，所以必须限制集成电路的热功率 非均匀性 若MOSFET栅长50nm,栅宽100nm，如果沟道载流子数目为2＊1012/cm2,沟道中平均有100个电子。 如果存在单个杂质涨落，引起沟道电导变化为实际电导的40％。 这是非常显著的涨落 介质厚度 氧化层薄到一定尺度就不能阻止电子从栅极漏出而到达漏极 精度和价格 现代集成电路生产设备和生产线的价格已高达以亿元为单位 但是它仍然不能满足纳米尺度的工艺精度要求 研制、开发、制备下一代，精度更高的生产设备，其价格将是天文数字。 经济因素也会成为制约现代半导体技术及一步发展的障碍 量子纳米电子学 以量子力学现象和效应为工作原理 量子效应器件 –隧穿器件 –单电子器件 –量子点器件 量子信息处理 –量子计算与量子计算机 –量子通讯 –量子密钥 单电子晶体管（SET） 单电子晶体管（Single-electron transistors）是利用能够通过栅极调节库仑阻塞效应的结构 除了用金属－绝缘体（氧化层）－金属制造单电子晶体管之外，还可利用处于正常态和超导态之间的金属岛制作单电子晶体管，对此已进行了大量研究（1994） 半导体单电子晶体管 第一个半导体单电子晶体管是在2DEG中限制出的量子点中制造的（J. H. F. Scott-Thomas, S. B. Field, M. A. Kastner, H. I. Smith, andD. A. Antoniadis, Phys. Rev. Lett. 62, 583 1989） 第二种类型的半导体单电子晶体管是用刻蚀出的量子点制作（U. Meiravand E. B. Foxman, Semicond. Sci. Technol. 10, 1995) 纳米电子学的三大领域 纳米精度的制造技术 –纳米制造技术 新器件物理 –经典器件量子效应模拟 –量子器件物理 新的信息处理方法 –纳米电路创新 –量子信息技术 纳米制造技术 自顶向下（Top-down）: –去掉多余的材料制造纳米客体 –异质外延生长技术纳米光刻技术 自底向上（Bottom-up） –用更小的单元（原子、分子）制造纳米客体 –扫描探针技术 –自组织生长技术或自组装技术 –分子电子与化学技术 –有机分子电子与生物技术 纳米制造技术 自顶向下制造 纵向或竖直方