TFT-LCD阵列工艺介绍解析.pptVIP

* 3.5 ELP测定 工程 测量项目 G绝缘膜 (G-SiNx) G-SiNx膜厚 DIPR (3层CVD后) G-SiNx、a-Si、n+ a-Si三层膜厚 C-PR (PA-SiNx) PA-SiNx膜厚 检查装置：Elipsometer（ELP） 表6 膜厚check项目 * 检测原理： 光线经过透明薄膜表面进行反射时，由于光线在薄膜上下表面均产生反射，因此反射光产生光程差Δ（图1所示）。当入射光为线偏光时，反射光为椭偏光。根据光线反射前后偏振状态的改变，可以测量薄膜的光学参数和膜厚，这种方法叫做Ellipsometry法（椭圆偏光解析法）。 入射光 反射光1 反射光2 * 工程 测量项目 G-PR G层Mo-Al金属膜厚 DIPR D层Cr金属膜厚、沟道干刻量 C-PR PA SiNx膜厚、G层SiNx膜厚、 PIPR PI层ITO膜厚 检查装置：段差测定装置（DAN） 测量原理： 具体采用探针接触式方法进行测量。 3.6 段差测定 表7 段差check项目 Gate Etching 剥离完了 ShortOpen缺陷检出 O/S check Ｏ／Ｓ check 自动外观检查 Laser Repair （Short） Laser CVD （Open） G-Open G-Com short 实例：用于G极断路和短路的检查 3.7 O/S测定 * AC 200