半导体光催化基础-第四章-纳米二氧化钛.pptVIP

第四章 纳米半导体与 纳米二氧化钛 4.2 半导体超微粒效应 4.2.1 量子尺寸效应 当半导体颗粒的尺寸小到纳米尺度，即光生电子和空穴的波函数尺寸可与颗粒的物理尺度相比拟时，光生载流子的运动在三维方向受到量子限域，相对于包含有无数个原子（即导电电子数N→∞）的块体材料来说，由于纳米颗粒中原子聚集数有限，即N值很小，随粒径减小，则逐步显示出分子能级特征，因而大块晶体的准连续能带变成具有分子特性的分立能级结构，带隙也随之变宽，出现了新的跃迁规律和吸收光谱带兰移，这种现象称为量子尺寸效应 。 4.2.2 表面效应 随着半导体微粒尺寸的减小，粒子中包含的原子数目也相应减少，但表面原子所占的比例却迅速增大。如1~10nm的超微粒中，所包含的原子数目小于103~104个时，表面原子占原子总数的比例为： 4.2.2 表面效应 表面原子数目的增加，意味着表面不饱和键浓度和表面态密度的增高，这种高表面能的表面极不稳定，易与其他原子结合，因而有更多的表面原子参与反应，将会显著提高材料的利用效率和反应速度。 其次，随着纳晶粒子粒粒径的减小，比表面则急剧增高，如粒径为10nm时，比表面为90m2/g，粒径为5 nm时，比表面增至180 m2/g，粒径再下降到2 nm时，比表面猛增至450 m2/g，这种巨大的表面积亦为光催化的反应的进行提