半导体物理讲义..pptVIP

第八章 半导体表面与MIS结构 8.1 表面态 8.2 表面电场效应 8.3 MIS结构的电容-电压特性 8.4 硅-二氧化硅系统的性质 8.5 表面电导及迁移率 8.6 表面电场对pn结特性的影响 当绝缘层中的薄层电荷靠近金属表面(x=0)时，VFB=0，即绝缘层中电荷位于金属表面时，对C-V特性没有影响； 当绝缘层中的薄层电荷越靠近半导体表面(x=xd，VFB有最大值) ： 对C-V特性影响越大。 (二) 绝缘层中正电荷有一定的体分布ρ(x) 即VFB随绝缘层中电荷分布情况的改变而改变。因此，如果绝缘层中存在某种可动离子，当它们在绝缘层中移动时，其电荷分布将改变，则VFB也随之改变。 (三) 功函数差与绝缘层中电荷两种因素都存在 -Vms 8.4 硅-二氧化硅系统的性质 一、Si-SiO2系统中四种基本类型的电荷或能量状态 主要是带正电的离子：Na+、K+ 、H+等。在一定温度和 偏压条件下，可在SiO2层中迁移，对器件的稳定性影响最大; (一) SiO2层中的可动离子 位于Si-SiO2界面附近20nm的范围内，不能在SiO2中迁移; (二) SiO2层中的固定电荷 Si-SiO2界面处位于禁带中的能级或能带；在很短的时间 内与衬底半导体交换电荷，故又称快界面态； (三) 界面态