高频电子技术3.ppt

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高频小信号放大器 高频小信号放大器按所用器件可分为晶体管、场效应管和集成电路放大器;按所用负载性质可分为谐振和非谐振放大器。 谐振放大器(resonant amplifier),就是用LC谐振回路作负载的放大器。由于谐振回路有选频特性,所以谐振放大器对接近谐振频率的信号,有较大增益;对远离谐振频率的信号,增益很小。所以谐振放大器既有放大作用,又有选频滤波作用。 非谐振放大器 非谐振放大器是由各种滤波器(LC集中选择性滤波器、陶瓷滤波器、声表面波滤波器、石英晶体滤波器)和阻容耦合放大器组成的。由滤波器选頻,放大器提供电压增益。其性能稳定,无需调整,便于集成化,现已广泛使用。 图3-2 晶体管共射组态的Y参数等效电路 图3-3 晶体管共发射极混合π 型等效电路 图3-5 单调谐回路谐振放大器 3.3.3 双调谐放大器 提高放大器选择性,解决增益和通频带间的矛盾,有效方法之一是采用双调谐放大器。 双调谐放大器采用两个相互耦合的单调谐回路作放大器的选频回路,两个单调谐回路的谐振频率都调谐在信号的中心频率上。 双调谐放大器就是将单调谐回路放大器中单调谐回路改成双调谐回路,双调谐回路放大器电路如图3-7所示,其等效电路如图3-8所示。 图3-7 双调谐回路放大器 图3-8 双调谐放大器等效电路 图3-9 中和法原理电路 图3-10 共射-共基级联放大器交流等效电路 图3-12 线性宽频带小信号放大器 图3-13 ULN-2204集成的中频放大部分 图3-15 μPC 1366C图像中频放大电路 图3-16 集成中频放大器内部结构 3.5 噪声与干扰 3.5.1 电路内部噪声的来源 电路内部噪声的主要来源是电阻的热噪声和放大器件的噪声。 图3-18 晶体管的噪声系数与频率的关系 3.4 集中电路高频小信号放大器 由线性集成电路与选频电路相结合方式实现 又称模拟集成电路 3.4.1 线性宽频带集成放大电路 8FZ1 ULN2204 8FZ1 3.4.2 集成电路选频放大器 1 μPC 1018集成中频放大电路 广泛用于调频(FM)、调幅(AM)的集中中频放大电路 双列直插16脚塑料封装 工作电压:2.5 ~ 6 V 内部带有高调频、调幅分开的中放电路,还有本振、 混频、用自动增益控制电路 图像中频放大电路包括3个部分: 1 前置补偿放大器。 由高频头送来的中频信号在晶体管VT(3DG1674)进行预 中放,以补偿采用声表面波滤波器造成的插入损耗。 2 声表面波中频滤波器SWAF。 VT放大后的中频信号送至声表面波滤波器SAWF,它具有很好的选择性和较宽的频带宽度,由它确定了中频放大器的幅频特性(参见图2-25),使中频放大电路无需调整。由SAWF选出的中频信号频率为38MHz,频带宽为8MHz,并且幅频特性符合电视中频放大器的要求。 μPC1366C集成电路的图像中放部分。 中频信号经SAWF滤波后由8脚和9脚送入μPC 1366C内的图像中频放大器,经放大获得足够增益后送至μPC 1366C内的视频检波器 所谓噪声(或干扰), 就是除有用信号以外的一切不需要的信号及各种电磁骚动的总称。   噪声 一般指内部噪声,又分自然和人为两类。自然噪声有热噪声、散粒噪声和闪烁噪声等,人为噪声有交流噪声、感应噪声等。   干扰 一般指外部干扰,也分自然和人为两类。自然干扰有天电干扰、宇宙干扰和大地干扰等。人为干扰有工业干扰和无线电台干扰。 1)电阻的热噪声    电阻的热噪声是由电阻内部的自由电子无规则热运动所产生的。如下图所示,噪声电压(或电流)是上下起伏变化的,但在一定时间内其平均值为零。起伏噪声的频谱在极宽的范围内,且有均匀的功率谱密度,故也称为白噪声。 电阻热噪声电压波形 2)晶体管的噪声   晶体管的噪声主要有热噪声、散粒噪声、分配噪声和闪烁噪声。   热噪声主要由基区体电阻  所产生;散粒噪声是由于晶体管内部基区少数载流子注入率的随机性引起的,是主要噪声来源;分配噪声是由于晶体管内部基区少数载流子复合量的随机性引起的;闪烁噪声的产生与半导体制作时表面清洁处理度和外加电压有关,主要考虑低频情况。   晶体管的噪声主要决定于热噪声、散粒噪声和分配噪声,在很宽的频率范围内随频率变化是很小的。 * * 高频小信号放大器的主要性能指标: 1、电压增益与功率增益 2 、通频带 3、选择性 4、稳定性 5、噪声系数 晶体管的Y参数等效电路 混合π型等效电路是从模拟晶体管的物理结构出发,用

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