微电子复习资料.doc

集成电路的分类： 按器件结构类型分类，共有三种类型，它们分别为双极集成电路，MOS集成电路和双极－MOS混合型集成电路。 双极集成电路:这种电路采用的有源器件是双极晶体管，在双极集成电路中，又可以根据双极晶体管的类型的不同，而将它们细分为NPN型和PNP型双极集成电路。 双极集成电路的特点是速度高，驱动能力强，缺点是功耗较大，集成度相对较低。 金属－氧化物－半导体（MOS）集成电路：这种电路中所用的晶体管为MOS晶体管，根据MOS晶体管类型的不同，MOS集成电路又可以分为NMOS，PMOS和CMOS集成电路。 与双极集成电路相比，MOS集成电路的主要优点是：输入阻抗高，抗干扰能力强，功耗小，集成度高（适合大规模集成），因此，进入超大规模集成电路时代以后，MOS，特别是CMOS集成电路已经成为集成电路的主流。 双极－MOS集成电路：同时包括双极和MOS晶体管的集成电路为双极－MOS集成电路，双极－MOS集成电路综合了双极和MOS器件两者的优点，但这种电路具有制作工艺复杂的缺点。随着CMOS集成电路中器件特征尺寸的减小，CMOS集成电路的速度越来越高，已经接近双极集成电路，因此，目前集成电路的主流技术仍然是CMOS技术。 按集成电路规模分类： 每块集成电路芯片中包含的元器件数目叫做集成度，根据集成电路规模的大小，通常将集成电路分为小规模集成电路,中规模集成电路，大规模集成电路，超大规模集成电路，特大规模集成电路和巨大规模集成电路. 按结构形式的分类： 按照集成电路的结构形式可以将它分为半导体单片集成电路及混合集成电路。 单片集成电路：它是指电路中所有的元器件都制作在同一块半导体基片上的集成电路。 混合集成电路：是指将多个半导体集成电路芯片或半导体集成电路芯片与各种分立元器件通过一定的工艺进行二次集成，构成一个完整的，更复杂的功能器件，该功能器件最后被封装在一个管壳中，作为一个整体使用，在混合集成电路中，主要由片式无源元件，半导体芯片，带有互连金属化层的绝缘基板以及封装管壳组成。 根据制作混合集成电路时所采用的工艺不同，还可以将它们分为厚膜集成电路和薄膜集成电路。 按电路功能分类：可以分成数字集成电路，模拟集成电路和数模混合集成电路等三类。 数字集成电路：它是指处理数字信号的集成电路。 模拟集成电路：它是指处理模拟信号的集成电路。 数模混合集成电路：它是指即包含数字电路又包含模拟电路的新型电路。 第二章半导体物理和器件物理基础 1.半导体的特点： （1）纯净半导体材料，电导率随温度的上升而指数增加。 （2）半导体中杂质的种类和数量决定着半导体的电导率，而且在重掺杂的情况下，温度对电导率的影响较弱。 （3）在半导体中可以实现非均匀掺杂。 （4）光的辐照，高能电子等的注入可以影响半导体的电导率。 第三章大规模集成电路基础 1.集成电路的集成度，集成电路的功耗延迟积，特种尺寸是描述集成电路性能的几个主要方面。 集成电路的功耗延迟积又称为集成电路的优值，就是把电路的延迟时间与功耗相乘，该参数是衡量集成电路性能的重要参数，功耗延迟积越小，则集成电路的速度越快或功耗越低，性能便越好。 特征尺寸通常是指集成电路中半导体器件的最小尺度，如MOSFET的最小沟道长度或双极晶体管中的最小基区宽度，这是衡量集成电路加工和设计水平的重要参数，特征尺寸越小，加工精度越高，可能达到的集成度也越大，性能越好。 2．双极集成电路基础： （1）常用的晶体管根据使用目的的不同可将双极晶体管分成放大晶体管和开关晶体管两大类，它们主要差别是放大管的工作电压较高，通常这两种晶体管均制作在高电阻率的硅外延层上。 （2）在数字集成电路中，完成各种逻辑运算和变换的电路称为逻辑电路，组成逻辑电路的基本单元是门电路和触发器电路，触发器电路基本上也由各种门电路组成，门电路是数字集成电路的最基本单元。 3．MOS集成电路基础 由于CMOS集成电路具有功耗低、速度快、噪声容限大、可适应较宽的环境温度和电源电压、易集成、可等比例缩小等一系列优点，使得CMOS集成电路成为整个半导体集成电路的主流技术。 CMOS开关 反相器 开关串／并联的逻辑特性 4.传输门逻辑 当MOS开关导通时，信号可直接从一端传送至另一端，所以又把MOS开关称为传输门，通常把传输门的输出信号对控制信号间的逻辑关系称为传输门逻辑。 存储器 存储器是各种数字计算机的主要部件，也是许多其他电子系统中必不可少的，存储器功能可分为以下几类： 只读存储器（ROM） 随机存取存储器(RAM) 可编程只读存储器（PROM） 通常一个完整的存储器主要包括以下几个部分： 存储单元 地址译码器 读写电路 时序控制电路 第四章 集成电路制造工艺 要制造一块集成电路，需要经过集成电路设计、掩模板制造、原始材料制造、芯片加工、封装、测试等工序，