电力电子技术 第2章 器件2_SCR.pptVIP

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * 1-* 1.4.1 门极可关断晶闸管 GTO能够通过门极关断的原因是其与普通晶闸管有如下区别： 设计?2较大，使晶体管V2控 制灵敏，易于GTO。 导通时?1+?2更接近1，导通时接近临界饱和，有利门极控制关断，但导通时管压降增大。 多元集成结构，使得P2基区横向电阻很小，能从门极抽出较大电流。 图1-7 晶闸管的工作原理 1-* 1.4.1 门极可关断晶闸管 GTO导通过程与普通晶闸管一样，只是导通时饱和程度较浅。 GTO关断过程中有强烈正反馈使器件退出饱和而关断。 多元集成结构还使GTO比普通晶闸管开通过程快，承受di/dt能力强 。 由上述分析我们可以得到以下结论： 1-* 1.4.1 门极可关断晶闸管 开通过程：与普通晶闸管相同 关断过程：与普通晶闸管有所不同 储存时间ts，抽取饱和导通时存储的大量载流子，使等效晶体管退出饱和。 下降时间tf ，晶体管从饱和区退至放大区，阳极电流逐渐减小。 尾部时间tt —残存载流子复合。 通常tf比ts小得多，而tt比ts要长。 门极负脉冲电流幅值越大，ts越短。 O t 0 t i G i A I A 90% I A 10% I A t t t f t s t d t r t 0 t 1 t 2 t 3 t 4 t 5 t 6 图1-14 GTO的开通和关断过程电流波形 GTO的动态特性 1-* 1.4.1 门极可关断晶闸管 GTO的主要参数 —— 延迟时间与上升时间之和。延迟时间一般约1~2?s，上升时间则随通态阳极电流的增大而增大。 —— 一般指储存时间和下降时间之和，不包括尾部时间。下降时间一般小于2?s。 （2） 关断时间toff （1）开通时间ton 不少GTO都制造成逆导型，类似于逆导晶闸管，需承受反压时，应和电力二极管串联 。 许多参数和普通晶闸管相应的参数意义相同，以下只介绍意义不同的参数。 1-* 1.4.1 门极可关断晶闸管 （3）最大可关断阳极电流IATO （4） 电流关断增益?off ?off一般很小，只有5左右，这是GTO的一个主要缺点。1000A的GTO关断时门极负脉冲电流峰值要200A 。 ——GTO额定电流。 ——最大可关断阳极电流与门极负脉冲电流最大值IGM之比称为电流关断增益。 （1-8） 1-* 1.4.2 电力晶体管 电力晶体管（Giant Transistor——GTR，直译为巨型晶体管） 。 耐高电压、大电流的双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor——BJT），英文有时候也称为Power BJT。 ??应用 20世纪80年代以来，在中、小功率范围内取代晶闸管，但目前又大多被IGBT和电力MOSFET取代。 术语用法： 1-* 与普通的双极结型晶体管基本原理是一样的。 主要特性是耐压高、电流大、开关特性好。 通常采用至少由两个晶体管按达林顿接法组成的单元结构。 采用集成电路工艺将许多这种单元并联而成 。 与普通双极结型晶体管相比，GTR多了一个低掺杂区（漂移区）。。 1.4.2 电力晶体管 1）GTR的结构和工作原理 图1-15 GTR的结构、电气图形符号和内部载流子的流动 a) 内部结构断面示意图 b) 电气图形符号 c) 内部载流子的流动 1-* 1.4.2 电力晶体管 在应用中，GTR一般采用共发射极接法。 集电极电流ic与基极电流ib之比为 （1-9） ? ——GTR的电流放大系数，反映了基极电流对集电极电流的控制能力 。 当考虑到集电极和发射极间的漏电流Iceo时，ic和ib的关系为 ic=? ib +Iceo （1-10） 单管GTR的? 值比小功率的晶体管小得多，通常为10左右，采用达林顿接法可有效增大电流增益。 空穴流 电 子 流 c) E b E c i b i c = b i b i e =(1+ b ) i b 1）GTR的结构和工作原理 1-* 1.4.2 电力晶体管 (1)? 静态特性 共发射极接法时的典型输出特性：截止区、放大区和饱和区。 在电力电子电路中GTR工作在开关状态。 在开关过程中，即在截止区和饱和区之间过渡时，要经过放大区。 截止区 放大区 饱和区 O I c i b3 i b2 i b1 i b1 i b2 i b3 U ce 图1-16 共发射极接法时GTR的输出特性 2）GTR的基本特性