信息材料基础_第三章_光电子材料基础.ppt

* * 　该法将籽晶置于坩埚底部的中心位置，熔料装到籽晶的上方、坩埚位于热交换器的上部，用石墨电阻炉生长激光晶体。对于给定的物料，炉温决定液体内的温度梯度，热交换器的温度决定固体内的温度梯度。固液界面因浸没在熔体表面以下，不受机械和温度扰动的影响，故可实现均匀生长，最大限度地降低生长条纹，获得均匀的掺杂分布。该法适于生长Cr：A12O3(红宝石)、Nd：YAG、Co：MgF2和Ti：A12O3(蓝宝石)，能获得大尺寸优质晶体，如Φ65mm的Co： MgF2晶体和Φ 320mm、重50Kg的蓝宝石晶体。 C　热交换器(HEM)法 * * 半导体激光器主要用于光学器件、激光唱盘、激光印刷机和光纤通信等领域。 　 目前研制的半导体激光材料体系，短波长(0.7~1.0μm)材料以(Ga, Al)As／GaAs为主；长波长(1.10~1.6 μm)材料以(In, Ga)(As, P)／InP为主。因此GaAs，InP衬底材料及((Ga, Al)As， (In, Ga)(As, P)外延膜质量至关重要。　　 　　 2.3.7.2 半导体激光材料的制取方法 * * 衬底用GaAs单晶的生长，目前用高压液体覆盖直拉(LEC) 法已获得Φ125mm的高纯单晶。在生长过程中，通过采取理想的热环境，尽可能使固－液界面保持低的温度梯度，保持表面凹向熔体以及进行等电子掺杂等措施，显著降低了位错密度。用水平布里支曼(HB)法已获得宽80mm、长100mm的GaAs晶体，位错密度比LEC晶体低，更适合作衬底材料。生长InP远比GaAs困难，通常用LEC法生长，已能生长直径达75mm、重1.2kg的无孪生InP单晶。 外延膜的生长除常用的液相外延外，分子束外延(MBE)和金属有机化学气相沉积(MOCVD)等新的薄膜生长方法发展很快。 目前生长GaAs和 (Ga, Al)As量子阱结构(0.6~0.8 μm)以用MBE和MOCVD为宜，对波长1.2~1.6 μm的(In, Ga)(As, P)/InP体系，以用氢化物输运气相外延为宜。 * * 分子束外延是一种在晶体基片上生长高质量的晶体薄膜的新技术。在超高真空条件下，由装有各种所需组分的炉子加热而产生的蒸气，经小孔准直后形成的分子束或原子束，直接喷射到适当温度的单晶基片上，同时控制分子束对衬底扫描，就可使分子或原子按晶体排列一层层地“长”在基片上形成薄膜。该技术的优点是：使用的衬底温度低，膜层生长速率慢，束流强度易于精确控制，膜层组分和掺杂浓度可随源的变化而迅速调整。 外延生长法 2.3.8 激光应用 在工业制造中可进行精确的切削、钻孔和表面改性 做精密的医疗手术 作用于微型靶实现激光核聚变。 * * （1） 激光可在很小的区域上聚焦很高的功率密度： * * 激光打孔 激光切割 * * 布满全球的光纤网，加上卫星通信网，形成了信息高速公路的基础； 光存储、激光全息、激光照排、打印及条码扫描技术等，提供了全新的多样化的信息服务。 （2）激光光谱技术比传统的分辨率提高了百万倍，灵敏度提高了百亿倍；激光为信息技术开拓了丰富的频率资源； * * 全息照相 激光瞄准、制导、测距 激光雷达 激光引信 激光致盲传感器 高能强激光武器 * * （3） 激光技术开辟了崭新的军事应用： * * 低能激光武器 高能激光武器 * * （4）激光光盘 存储密度大 保存时间长 信息处理方便 激光器的输出水平不断提高： 中、小功率器件 高功率、高能量激光器； 脉冲体制从连续波、准连续波到各种短脉冲、超短脉冲的激光。 连续的高能激光单次输出能量已达百万焦耳以上； 超短脉冲：纳秒 皮秒 飞秒 阿秒 脉冲功率密度则可高达1020瓦/cm2以上。 * * 2.3.9 激光发展新特点 输出激光的频率覆盖着越来越广的范围： 长至亚毫米（太赫兹） 短至x射线 γ激光也在探索中，分立的激光谱线达几千条； * * * * 2.4 光电子集成技术 早在上世纪70年代初，以A.Yariv和K.Hayashi为代表的一批科学家就提出一个诱人的发展方向——光电子集成（opto electronic integrated circuit，OEIC）。他们受到微电子集成辉煌成就的鼓舞，企望把光电子与微电子器件集成在一片基片上，从而获得在信息工程系统上的深远应用。 光电器件和电子器件已经到了很高的发展水平。然而，它们之间的连接和耦合还有很多的问题需要解决，包括兼容性、瓶颈效应和耦合损耗等。 1978年，美国第一次成功研制出世界上第一个OEIC器件。80年代中期实现