电子工程学系.docVIP

PAGE 4 電子工程學系 計畫名稱：複晶矽鍺與MILC在低溫複晶矽薄膜電晶體上之應用 研究者：張俊彥 經費來源：行政院國家科學委員會 關鍵詞：複晶矽鍺；金屬誘發側向結晶；Kink Effect 本研究計畫將以三年時間，研究探討複晶矽鍺（poly-SiGe）與金屬誘發側向結晶（MILC）應用在低溫複晶矽薄膜與其薄膜電晶體的製成技術。我們提出數種不同結構的電晶體、利用蕭特基接觸汲極/源極、傳統MILC與無電鍍MILC等方式來製作複晶矽薄膜電晶體，主要重點在於改善複晶矽電晶體長久以來的致命傷─漏電流及kink-effect並提高其導通電流，嘗試做成小尺寸電晶體並探討其短通道效應及可靠度問題等。 第一年著重在複晶矽鍺選擇性成長、金屬矽化物蕭特基接觸與MILC資料庫的建立，我們利用不同的壓力、溫度、氣體種類、退火條件、無電鍍濃度、酸鹼值及金屬種類等製成因子，藉由TEM、SEM、XRD、Auger、Raman、薄膜測厚儀等分析儀器找出最佳的製成條件。第二年則利用第一年的資料庫製作複晶矽薄膜電晶體，量測電性，萃取參數並與傳統結構比較，研究分析找出機制。第三年著重在小尺寸電晶體的製作，探討不同結構及不同製成方式電晶體的短通道效應並與傳統結構小尺寸電晶體比較，藉由變溫量測以及電壓stress，討論小尺寸新結構製程薄膜電晶體的可靠度問題及原因。 NSC90-2215-E009-072（90N374） 計畫名稱：MILC 低溫複晶矽薄膜電晶體之退火製程開發、新穎結構及小尺寸元件之製作及研究 研究者：張俊彥 經費來源：行政院國家科學委員會 關鍵詞：金屬誘發側向結晶（MILC）；矽鍺；低溫複晶矽薄膜電晶體；小尺寸；短通道效應 本計畫將以三年時間，研究探討金屬誘發側向結晶（MILC）在低溫複晶系薄膜及其在低溫複晶矽薄膜電晶體上的應用，並在沈積金屬前加入複晶矽鍺層(poly-SiGe layer)，可用子計畫一的成長條件或以植入（implant）的方式形成，以此poly-SiGe/金屬當作seed layer可在較低的溫度進行退火以降低熱預算，並嘗試做成小尺寸MILC薄膜電晶體，藉由不同的退火條件製作出單晶的薄膜電晶體，以提高電晶體的特性，並探討小尺寸MILC可靠度的問題。 第一年著重在MILC資料庫的建立，利用物理氣相沈積（PVD）系統以不同的金屬（Ni、Co、Ti、NiCo等）、不同的沈積溫度等條件沈積在非晶矽薄膜上或有複晶矽鍺層的非晶矽薄膜上，再以不同溫度退火，以XRD、Raman、TEM等分析結晶性。第二年將以第一年的最佳化條件製作低溫複晶矽薄膜電晶體，並作電性分析，探討不同條件成長、退火、與結晶性、電性的關係，進而找出退火條件以降低漏電流。第三年著重在小尺寸的MILC製作，並嘗試將電晶體的通道作在單一的MILC晶粒上而形成單晶薄膜電晶體，並探討其短通道效應與可靠度的問題。 NSC90-2215-E009-078（90N380） 計畫名稱：矽鍺源/汲極金氧半電晶體及電感在射頻應用之研究 研究者：張俊彥 經費來源：行政院國家科學委員會 關鍵詞：矽鍺源/汲極電晶體；接觸電阻；金屬矽化物 在本研究計畫中，針對矽鍺源/汲極電晶體在高頻特性上做一詳盡的研究。研究顯示利用矽鍺為浮層源/汲極之金氧半電晶體大大的降低了源/汲端的電阻值，當鍺含量增加時，接觸電阻會跟著改善，這些降低的源/汲極電阻可同時改善fT與gm值。 NSC90-2215-E009-112(90N402) 計畫名稱：矽化鎳在超大型積體電路之應用研究(II) 研究者：陳茂傑 經費來源：行政院國家科學委員會 關鍵詞：矽化鎳；NiSi/p+n及NiSi/n+p淺接面；NiSi/p+-Si及NiSi/n+-Si接觸電阻 矽化鎳(NiSi)的本質和矽化特性非常具有在深次微米積體電路元件製程上的應用潛力。本計畫擬以吾人已經初步證實可以用ITS方法製作NiSi/p+n淺接面的可行性基礎上，繼續以NiSi為對象研究其在深次微米積體電路應用上的材料特性及製程技術，內容包括NiSi/p+n超淺接面二極體的最佳化製程，NiSi/n+p淺接面二極體的研製及特性量測與分析，以及NiSi/p+-Si和NiSi/n+-Si的接觸電阻探討。 NSC90-2215-E009-067（90N369） 計畫名稱：實用銅膜之化學氣相沈積技術研究 研究者：陳茂傑 經費來源：行政院國家科學委員會 關鍵詞：銅化學氣相沉積；銅膜管洞填充(銅栓)；超薄障礙/黏著層 銅製程已被認為是未來深次微米積體電路製程之主流技術。為配合研發0.05微米MOS積體電路元件製作之關鍵技術，本子計畫擬以自行設計和組建之具備DLI(direct liquid injection) precursor注入系統、In-situ基板前處理腔、和自動化控制功能的多腔體式