微电子与集成电路设计6.pptVIP

2) 一周期内CL充放电使管子产生的平均功耗 式中Tc为输入信号周期。 CMOS反相器功耗 2. 动态功耗(瞬态功耗)PD 故 3) Ui为非理想阶跃波形时引入的动态功耗PD2——直流开关功耗 当输入信号不是理想阶跃变化时， 对NMOS管， UGSN=Ui, 则 (1) 当UGSN=UiUTHN时，NMOS管截止; (2) 当UGSN=UiUTHN时， NMOS导通。 对PMOS管， UGSP=Ui-UDD, 则 (1) 当|UGSP|=|Ui-UDD||UTHP|时， PMOS管截止； (2) 当|UGSP|=|Ui-UDD||UTHP|时， PMOS管导通。 CMOS反相器功耗 3) Ui为非理想阶跃波形时引入的动态功耗PD2——直流开关功耗 CMOS反相器功耗 在t1～t2， t3～t4时间段内， NMOS管和PMOS管同时导通， iDN=iDP≠0, UDSN、 UDSP 也不为0， 产生瞬态功耗PD2， 该电流贯穿NMOS管和PMOS。 设电流峰值为IDM， 其平均电流近似为IDM/2, 那么， 电源供给的平均功率(也就是管子消耗的平均功率)为 总的反相器功耗  PD=PD1+PD2  由以上分析可得结论： 要降低功耗， 必须要按比例减 小管子的尺寸(CL减小)， 特别是减小供电电压UDD。 CMOS反相器 有以下优点： 1 传输特性理想，过渡区比较陡 2 逻辑摆幅大：Voh=VDD, Vol=0 3 一般VTH位于电源VDD的中点，即VTH=VDD/2，因此噪声容限很大。 4 只要在状态转换为b－d段时两管才同时导通，才有电流通过，因此功耗很小。 5 速度快。上升时间tr：恒流充电 下降时间tf：单管放电 6 CMOS反相器是利用p、n管交替通、断来获取输出高、低电压的。 * * Vin≥VTN时．在此阶段内，由于NMOS管刚导通，输出电压也没有发生显著变化，所以PMOS管仍维持在非饱和状态；但是NMOS管导通，NMOS管工作在饱和区，有： 由上式可求得输出电压是： B区 由： VGSN - VTN =Vin- VTN VDSN= Vout 可推出： VinVDSN+VTN= Vout +VTN 且： Vin-VDD-VTP Vout-VDD 0 即在以上的条件下，前面推出的方程将成立。 当Vin=VOUT 时，使得本区域内NMOS管和PMOS管均处于饱和区工作状态．由晶体管电流方程有： 它对应着陡峭下降的特性，对应此时的输入电压是： C区 通常将这个电压值作为倒相器的阈值电压。 若取βN=βp，VTN=|VTP|.则上式变为： Vin=VTH=VDD/2 VOUT与VIN无关(VOUT与VIN关系为一条垂直线，在一级近似下得到)。 当Vin≤VDD-|VTP|时。 这时NMOS管进入非饱和区，而PMOS管仍维持在饱和区。由晶体管电流方程有： 由此求得输出电压是： D区 当Vin≥VDD-|VTP|时。这时PMOS管截止，IDSP=0，但NMOS管仍处于非饱和状态。因此，输出电压： Vout=VOL=0 E区 CMOS倒相器的直流传输特性 NMOS截止 PMOS线性 NMOS饱和 PMOS线性 NMOS饱和 PMOS饱和 NMOS线性 PMOS饱和 NMOS线性 PMOS截止 为了保证倒相输出数字电路可靠地工作，应满足： VIL称为输入低电平最大值；VIH称为输入高电平最小值． 为了保持Vout处于可靠的逻辑“1”状态,输入电压不得超过VIL 。同样,为了保证Vout处于可靠的逻辑“0”状态，输入电压不得小于VIH。 参数VIL和VIH的求取 通常将VIL和VIH定义在倒相器直流传输特性曲线斜率等于-1处所对应的输入电压，如下图所示 根据前面的分析， VIL和VIH应出现在直流电压传输特性曲线的B、D两段。由B段输出电压公式： 设X=βN/βP，在式中将Vout对Vin求导．令导数值为-1．可得到 ： VIL2[3-2X-X2]+VIL[(6+2X)(|VTP|-VDD+XVTN)] +[3VTP2+3VDD2+VTN2(-4X-X2)+6VTPVDD +2XVTNVTP+2XVTNVDD]＝0 若令X＝1，可求得： 用相同的方法，由D段输出电压公式，得到求VIH的方程式是： 当X=1时，可求得： 在βn=βp和VTN=|VTP|的条件下