光电检测技术7.ppt

7.6 固体成像器件的发展现状和应用 CCD今后的发展趋势是微型化、高速、高灵敏度、多功能化。 1．文字阅读与图像识别 CCD线阵成像器件可用于文字阅读和图像识别等，类似的系统可用于货币识别、条码识别，传真机、邮政编码的信封分检等，其框图示于下图。 主要是对图形进行一维或二维几何线度尺寸的测量，这是一门崭新的非 接触测量技术。它是通过计算光敏面上物像所占的光敏元的个数，然后根据 单个光敏元的尺寸以及光学系统的放大率换算而得到被测图形尺寸的，如下 图所示。 2．图形轮廓测绘系统 由于CCD光敏元是利用光刻技术逐个制作而成的，其尺寸和位置的精度 都很高，因此采用CC33像机进行测量比用其他成像系统测量精度高。 第7章 固体成象器件 1969年秋，美国贝尔实验室的W.S.Boyle和G.E.Smith受磁泡的启示，提出了CCD的概念。CCD是英文Charge Coupled Device的缩写，中文为 “电荷耦合器件”。 固体成象器件有两大类： 一是电荷耦合器件，简称CCD；二是自扫描光电二极管列阵，简称SSPD， SSPD又称MOS图像传感器。 与真空摄像器件相比固体成像器件有以下优点： (1) 体积小，重量轻，功耗低；耐冲击，可靠性高，寿命长； (2) 无象元烧伤、扭曲，不受电磁场干扰； (3) SSPD的光谱响应范围从0.25～1.1μm；对近红外线也敏感；CCD也可做成红外敏感型； (4) 象元尺寸精度优于1μm,分辨率高； (5) 可进行非接触位移测量； (6）基本上不保留残象（真空摄像管有15%～20%的残象）。 (7) 视频信号与微机接口容易。 CCD称为固体成象器件。固体成象器件不需要在真空玻璃壳内用靶来完成光学图像的转换，再用电子束按顺序进行扫描获得视频信号； 固体成象器件本身就能完成光学图像转换、信息存贮和按顺序输出（称自扫描）视频信号的全过程。 §7.1 电荷耦合器件 7.1.1.电荷耦合器件的结构 CCD的特点是以电荷作为信号，不是以电流或电压作为信号。 CCD是在MOS晶体管的基础上发展起来的，但与MOS晶体管的工作原理不同。MOS晶体管是利用在电极下的半导体表面形成的反型层进行工作的，而CCD是利用在电极下SiO2—半导体界面形成的深耗尽层（势阱）进行工作的，属非稳态器件。 在P型或N型硅单晶的衬底上生长一层厚度约为1200?～1500?的SiO2层， 然后按一定次序沉积N个金属电极作为栅极，栅极间的间隙约2.5μm，电极的 中心距离15～20μm ，于是每个电极与其下方的SiO2和半导体间构成了一个金 属-氧化物-半导体结构，即MOS结构。 这种结构再加上输入、输出 结构就构成了N位CCD。 CCD 单元 CCD线阵列 右图就是以P型硅为衬底的CCD结构示意图。 线阵列固体摄象器件基本结构简图 二维固体摄象器件电荷包帧转移结构图 7.1.2.电荷耦合原理与电极结构 对于半导体器件，当金属电极加上正电压时，接近半导体表面的空穴被排斥，电子增多，在表面下一定范围内只留下受主离子，形成耗尽区。该区域对电子来说是一个势能很低的区域，也称势阱。加在栅极上的电压愈高，表面势越高，势阱越深；若外加电压一定，势阱深度随势阱中电荷量的增加而线性下降。 1.电荷耦合原理 下图是四个彼此紧密排列的MOS电容结构，当栅极电压变化时，我们看看势阱及阱内的信号电荷是如何变化与传输的。 当t=t2时，①电极和②电极均加有+10V电压，且两电极靠得很近，这样①电极和②电极下面所形成的势阱就连通，①电极下的部分电荷就流入②电极下的势阱中。 当t=t3时，①电极上的电压已由+10V变为+2V，下面的势阱由深变浅，势 阱内电荷全部移入②电极下的深势阱中。 由上面过程可知，从t1→t3 ，深势阱从①电极下移动到②电极下面，势阱 内的电荷也向右转移了一位。如果不断地改变电极上的电压，就能使信号电荷 可控地一位一位地顺序传输，这就是电荷耦合。 假设t=t1时，已有信号电荷存贮在偏压为+10V的①号电极下的势阱里，其它三个电极上均加有大于阈值但仍较低的电压（图中为+2V），这些电极下面也有势阱，但很浅。 CCD中电荷的存贮和传输是通过改变各电极上所加电压实现的。按照加在电极上的脉冲电压相数来分，电极的结构可分为二相、三相、四相等结构形式。 2. CCD电极结构形式 7.1.3 电荷耦合器件的组成及其工作原理 CCD主要由三部分组成，信号输入部分、电荷转移部分和信号输出部分。 输入部分的作用是将信号电荷引入到CCD的第一个转移栅下的势阱中。 引入的方式有两种：电注入和光注