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一﹑半導體二極管及其基本電路 基本要求 正确理解：PN结的形成及单向导电性 熟练掌握：普通二极管、稳压二极管的外特性及主要参数 能够查阅电子器件相关手册 难点重点 1．ＰＮ结的形成 　　（1）当Ｐ型半导体和Ｎ型半导体结合在一起时，由于交界面处存在 HYPERLINK /netcollege/analog/Chap02/Chap02.htm \o P型区内空穴是多子，电子是少子，而N型区内电子是多子，空穴是少子。 载流子浓度的差异，这样电子和空穴都要 HYPERLINK /netcollege/analog/Chap02/Chap02.htm \o P型区内的空穴要向N型区扩散，N型区的电子也要向P型区扩散。 从浓度高的地方向浓度低的地方扩散。但是，电子和空穴都是带电的，它们扩散的结果就使Ｐ区和Ｎ区中原来的电中性条件破坏了。Ｐ区一侧因失去空穴而留下不能移动的负离子，Ｎ区一侧因失去电子而留下不能移动的正离子。这些不能移动的带电粒子通常称为空间电荷，它们集中在Ｐ区和Ｎ区交界面附近，形成了一个很薄的空间电荷区，这就是我们所说的ＰＮ结。 　　　　　图（1）浓度差使载流子发生扩散运动 　　（2）在这个区域内，多数载流子已扩散到对方并复合掉了，或者说消耗殆尽了，因此，空间电荷区又称为耗尽层。 　　（3）Ｐ区一侧呈现负电荷，Ｎ区一侧呈现正电荷，因此空间电荷区出现了方向由Ｎ区指向Ｐ区的电场，由于这个电场是载流子扩散运动形成的，而不是外加电压形成的，故称为内电场。　　　　　图（2）内电场形成 　　（4）内电场是由多子的扩散运动引起的，伴随着它的建立将带来两种影响：一是 HYPERLINK /netcollege/analog/Chap02/Chap02.htm \o 因为这个电场的方向与载流子扩散运动的方向相反 内电场将阻碍多子的扩散，二是P区和N区的少子一旦靠近PN结，便在内电场的作用下漂移到对方， HYPERLINK /netcollege/analog/Chap02/Chap02.htm \o 从N区漂移到P区的空穴补充了原来交界面上P区失去的空穴，而从P区漂移到N区的电子补充了原来交界面上N区所失去的电子，这样就使空间电荷区变窄。 使空间电荷区变窄。 　　（5）因此，扩散运动使空间电荷区加宽，内电场增强，有利于少子的漂移而不利于多子的扩散；而漂移运动使空间电荷区变窄，内电场减弱，有利于多子的扩散而不利于少子的漂移。　　当扩散运动和漂移运动达到动态平衡时，交界面形成稳定的空间电荷区，即 HYPERLINK /netcollege/analog/Chap02/Chap02.htm \o 此时，有多少个多子扩散到对方，便必定有多少个少子从对方漂移回来。 ＰＮ结处于动态平衡。 2．ＰＮ结的单向导电性 　　（1） HYPERLINK file:///C:\\Documents%20and%20Settings\\songzm\\Local%20Settings\\Temp\\D|\\Backup\\Documents\\模拟\\Analog\\Chap07\\Content1.htm \o P区接电源正极，N区接电源负极 外加正向电压（正偏）　　在外电场作用下，多子将向ＰＮ结移动，结果使空间电荷区变窄，内电场被削弱，有利于多子的扩散而不利于少子的漂移，扩散运动起主要作用。结果，Ｐ区的多子空穴将源源不断的流向Ｎ区，而Ｎ区的多子自由电子亦不断流向Ｐ区，这两股载流子的流动就形成了ＰＮ结的正向电流。 　　（2） HYPERLINK file:///C:\\Documents%20and%20Settings\\songzm\\Local%20Settings\\Temp\\D|\\Backup\\Documents\\模拟\\Analog\\Chap07\\Content1.htm \o P区接电源负极，N区接电源正极 外加反向电压（反偏）　　在外电场作用下，多子将背离ＰＮ结移动，结果使空间电荷区变宽，内电场被增强，有利于少子的漂移而不利于多子的扩散，漂移运动起主要作用。漂移运动产生的漂移电流的方向与正向电流相反，称为反向电流。因少子浓度很低，反向电流远小于正向电流。　　当温度一定时，少子浓度一定，反向电流几乎不随外加电压而变化，故称为反向饱和电流。 3.二极管的基本应用电路 （1）限幅电路---利用二极管的单向导电性和导通后两端电压基本不变的特点组成。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　（2）箝位电路---将输出电压箝位在一定数值上。 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　注：黑色---输入信号，蓝色---输出信号，波形为用ＥＷＢ仿真结果。 二﹑半導體三極管及放大電路 基本要求 熟练掌握：放大电路的组成原则；共