电力电子半导体器件(MOSFET).pptVIP

2．驱动特性 MOSFET栅源间静态电阻趋于无穷大，静态时栅极驱动电流几乎为零，但由于栅极输入电容的存在，栅极在开通和关断的动态驱动中仍需一定的驱动电流。 ①开通驱动特性 开通时间 振荡过程 感性负载 引线电感 驱动电路输出电阻 ②关断驱动特性： VGS=VDS+VT 预夹断，进入放大区 VDS关断时，由于引线电感存在，产生尖峰电压 电路中应加缓冲电路，限幅电路防止过电压 关断时，负驱动信号 尖峰电压 二、栅极驱动电路 （一）驱动电流选择： 不同MOSFET，极间电容量不同，功率越大，极间电容越大，开通关断驱动电流也越大。 1．开通驱动电流： 在ts时间内，将栅极输入电容充电到饱和导通所需电压VGS 2．关断驱动电流： 截止时漏极电压 放电时间 （二）驱动电路 1．直接驱动电路：TTL OC门驱动 互补输出驱动 CMOS驱动电路 2．隔离驱动电路：电磁隔离，光电隔离； ３．实用驱动电路及保护电路 种类很多：正反馈型，窄脉冲自保护型，高速关断型； 常用，如双PNP管驱动电路； 保护电路：采样漏极电压，与控制脉冲比较，实现保护。 双绞线 过流检测 SBD 三、MOSFET并联： 具有正温度系数沟道电阻，并联时可利用这一特性均流。 一般，静态电流均衡问题不大，关键是动态电流均衡分配， 如：开通、关断、窄脉冲下的峰值电流。 解决方法： ①选择器件，参数尽量一致；gm VT Ron ②并联MOSFET各栅极用电阻分开；串入电阻大于栅极电阻。 ③栅极引线设置磁珠，形成阻尼环节。 ④漏极间接入几百PF电容，改变耦合相位关系 ⑤源极引入适当电感 ⑥ 精心布局，器件对称，连线长度相同，驱动线双绞、等长。 四、MOSFET保护 １．防止静电击穿； ２．防止偶然性振荡损坏器件； ３．防止过电压； ４．防止过电流； ５．消除寄生晶体管、二极管影响。 §5.4 应用 DC—DC变换器； DC—AC变换器； 开关电源； 中频、高频加热电源； * 第五章 功率场效应晶体管 （Power MOSFET) TO-247AC TO-220F TO-92 TO-126 §5.1 结构与工作原理 一、普通MOSFET基本结构 特点：单极型电压控制器件，具有自关断能力，驱动功率小 工作速度高，无二次击穿问题，安全工作区宽。 1．N沟道MOSFET 工作原理： ①VGS=0，无导电沟道。 ②VGS0，反型层出现， 形成N沟道，电子导电。 G D S 类型：增强型，耗尽型 增强型 ２.P沟道MOSFET：空穴导电 分类：增强型，耗尽型 G D S G D S 增强型 耗尽型 3．存在问题：平面型结构 S、G、D处于同一平面，电流横向流动，电流容量不可能太大；要获得大功率，可增大沟道宽/长比（W/L），但沟道长度受工艺限制，不能很小；增大管芯面积，但不经济，因此管子功率小，大功率难实现。 二、功率MOSFET： 如何获得高耐压、大电流器件？ 对比GTR，GTR在功率领域获得突破的原因： ①垂直导电结构：发射极和集电极位于基区两侧，基区面积大， 很薄，电流容量很大。 ② N-漂移区：集电区加入轻掺杂N-漂移区，提高耐压。 ③双重扩散技术：基区宽度严格控制，可满足不同等级要求。 ④ 集电极安装于硅片底部，设计方便，封装密度高，耐压特性 好，在较小体积下，输出功率较大。 （一）VMOSFET： 保留MOSFET的优点，驱动功率小；吸收GTR优点，扩展功率，主要工艺： ①垂直导电结构；② N-漂移区；③双重扩散技术； 1．VVMOSFET：美国雷达半导体公司1975年推出 特点： ①VGS加电压后，形成反型层沟道，电流垂直流动。 ②漏极安装于衬底，可充分利用硅片面积 ③N-漂移区，提高耐压，降低CGD电容。 ④双重扩散可精确控制沟道长度。 缺点：V型槽底部易引起电场集中，提高耐压困难，改进：U型MOSFET。 2．VDMOSFET：垂直导电的双扩散MOS结构 沟道部分是由同一扩散窗利用两次扩散形成的P型体区和N+型源区的扩散深度差形成的，沟道长度可以精确控制——双重扩散。 电流在沟道内沿着表面流动，然后垂直地被漏极吸收。由于漏极也是从硅片底部引出，所以可以高度集成化。 漏源间施加电压后，由于耗尽层的扩展，使栅极下的MOSFET部分几乎保持一定的电压，于是可使耐压提高。 在此基础上，各种性能