麦克风效应-InfraTec-您的红外成像和传感技术专家.PDFVIP

麦克风效应 机械振动对探测器的影响以及如何优化 麦克风效应 4 麦克风效应 所有的热释电材料也具有压电特性。因此热释电芯片上因机械应力所产生的信号电压也可能附加到材料因温度 变化引起的信号上，而后者才是我们想要测量的信号。以下章节将讨论此效应与什么相关，其强度以及实际应 用上采用何种手段来抵消其作用。    4.1 基本理论  如果热释电材料受到外力的影响，例如，一个机械冲击或者振动，晶格就会发生形变。如果形变的结果是晶体 的电荷中心沿着材料表面电极垂直的方向移动，则会产生表面电荷。    这样一来，热释电效应所产生的表面电荷与我们并不希望得到的压电效应所产生的电荷叠加在一起。我们称这 种信号来自麦克风效应或叫颤噪响应。    我们用u来表示热释电芯片上由于压电效应所产生的电压信号，这也是我们下面要讨论的基础。以 LIE‐501 来 计算，热释电芯片的表面积为 3 × 3 mm² ，一侧固定，麦克风效应产生的干扰信号在一个重力加速度下 （1 g = 9.81 m/s²）为25 µV。    4.2 颤噪等效功率  为了方便比较，InfraTec 公司引入了颤噪等效功率（MEP），此参数可以类比于等效噪声辐射功率（NEP，详见 第一章）。    R MEP   (40)  R 和    u R   (41)  a   MEP 是指在探测器上产生等同于 1  g 加速度作用下产生的压电信号时所需要入射的辐射功率。数值越小代表振 动响应越低。      4 麦克风效应– 第 37 页 麦克风效应 4.3 测试方法  特定晶体中同时具有热释电效应和压电效应，两种效应都与晶体的方向（各向异性）有关。热释电晶体是压电 晶体的一个子群，所以每一种热释电晶体都具有压电特性。对于热释电探测器来说，晶体的方向选择是取热释 电效应最优的方向。我们无法忽略此方向上由于加速度引起的信号，它会影响热释电探测器的测试信号。我们 通常可以通过将探测器与其环境机械隔离的方式或者是有效的抑制振动的方法来将这影响降低到最小，也可以 在探测器内部采用特殊的结构设计将典型振动模式所产生的信号降低，并且减小对输出信号的干扰比值。      图 27：为减小麦克风效应设计的芯片支架，FEM 模拟的设计模型    InfraTec 公司采用有限元法（FEM）模拟方式，设计出一种特殊的芯片支架（如图 27 ），并且将其成功应用在 产品上。这一专利设计将热释电芯片通过固定和非固定的焊点巧妙地连接在一起。   热释电芯片的形变大大降低，   剩余振动有效地消除，且   有效抑制了典型振动模型的激励    因此，热释电芯片在探测器常用的调制频率 10  Hz 下的振动可以被大